CMP行业概况及CMP材料发展规模、市场格局分析[图].docx
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CMP行业概况及CMP材料发展规模、市场格局分析[图]一、化学机械抛光技术概括化学机械抛光技术(CMP)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段,这种工艺是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面而专门设计的。CMP的主要工作原理是在一定的压力及抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的
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2022年CMP行业市场规模分析1、CMP行业:市场规模稳步增长,国产厂商加速突破CMP(化学机械抛光)通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。集成电路普遍采用多层立体布线,集成电路制造的前道工艺环节需要进行多层循环,在此过程中需要通过CMP工艺实现晶圆表面的平坦化。CMP重复使用在薄膜沉积后、光刻环节之前,除了集成电路制造,CMP设备还可以用于硅片制造环节与先进封装领域。1)集成电路制造领域:芯片制造过程按照技术分工主要可分为薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子
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2022年CMP行业发展现状及市场规模分析一、CMP是半导体制造的关键工艺装备之一CMP(ChemicalMechanicalPolishing,化学机械抛光)是实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。晶圆制造过程主要包括七个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化。其中,化学机械抛光是指通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化——全局平整落差5nm以内的超高平整度。作为实现晶圆表面平坦化的关键工艺设备,CMP设备集摩擦学、表/
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2022年CMP设备行业简要概况及市场份额分析1.CMP设备简要概况CMP设备工艺复杂、研制难度大,为集成电路工艺流程中使用的主要设备之一。芯片制造主要包括光刻、CMP、刻蚀、薄膜和掺杂等关键工艺技术,其中CMP是在芯片制造制程和工艺演进到一定程度、摩尔定律因没有合适的抛光工艺无法继续推进之时才诞生的一项新技术。CMP设备主要用于单晶硅片制造和芯片制造前道工艺,依托CMP技术的化学-机械动态耦合作用原理,通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化——全局平整落差
2022年CMP行业发展现状及竞争格局分析.docx
2022年CMP行业发展现状及竞争格局分析1.CMP:晶圆平坦化的关键工艺1.1.CMP工艺是晶圆全局平坦化的关键工艺晶圆制造流程可以广义地分为晶圆前道和后道2个环节,其中前道工艺在晶圆厂中进行,主要负责晶圆的加工制造,后道工艺在封测厂中进行,主要负责芯片的封装测试,其中,化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺,指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化,是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。在前道加工领域:CMP主要