2021年全球存储芯片行业竞争格局及市场份额分析 市场集中度较高.docx

行业深度2021年全球存储芯片行业竞争格局及市场份额分析市场集中度较高HYPERLINK"https://stock.qianzhan.com/hs/zhengquan_688981.SH.html"\h存储芯片行业主要上市公司：中芯国际(688981)、兆易创新(603986)、紫光国微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、澜起科技(688008)、北京君正(300223)等本文核心数据：DRAM/NANDFlash/NORFlash市场份额、市场集中度1、全球存储芯片行业竞争格局：可划分为三大竞争层次HYPERLINK"https://stock.qianzhan.com/us/zhengquan_WDC.O.html"\h目前，全球存储芯片市场高度集中，代表企业包括韩国的三星、SK海力士;美国的美光、西部数据;日本的铠侠等，我国企业中长江存储、长鑫存储分别在NANDFlash、DRAM市场中不断发力，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距;在NORFlash全球市场中，我国企业兆易创新占据前三，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NORFlash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体存储产业发展的重要角色。2、全球存储芯片行业市场份额：DRAM和NANDFlash占据95%左右的市场份额从存储芯片细分产品来看，DRAM和NANDFlash占据了存储芯片95%左右的市场份额，DRAM、NANDFlash和NORFlash为存储芯片三大主流产品。2020年，全球DRAM市场中三星、SK海力士、美光市场份额分别达到42.71%、29.27%、22.52%;NANDFlash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局;全球NORFlash市场中华邦、旺宏、兆易创新排名前三，市占率分别为25.4%、22.5%、15.6%。3、全球存储芯片行业市场集中度：市场集中度较高整体来看，全球存储芯片行业集中度较高，从存储芯片三大主流产品来看，2020年DRAM和NANDFlash市场集中度(CR3、CR5)较2019年略有下降，但仍然保持在较高水平(2020年DRAM和NANDFlash市场CR5分别达到98.48%、89.17%，NORFlash市场CR5也达到78.4%)。4、全球存储芯片行业企业布局及竞争力评价情况从全球存储芯片企业业务布局来看，三星、SK海力士、美光在主要存储芯片产品NANDFlash和DRAM产品中占据绝对优势地位，铠侠、西部数据、长江存储主要布局在NANDFlash领域，兆易创新产品包含NORFlash、小容量NANDFlash、以及少量DRAM(由合肥长鑫生产)。国外企业大多采取IDM模式(企业业务覆盖存储芯片的设计、制造、封装和测试的所有环节)，我国企业中兆易创新采取Fabless模式(无晶圆生产线集成电路设计模式)。5、全球存储芯片行业竞争状态总结：行业潜在进入者的威胁不大从五力竞争模型角度分析，存储芯片行业现有竞争者数量较少，行业集中度较高，企业纷纷加大存储芯片新技术工艺的推进力度，行业现有竞争者竞争较为激烈;从上下游来看，由于存储芯片行业被国际巨头垄断，存储芯片对上游供应商和下游购买者的议价能力较高;从替代品威胁来看，由于行业产品特性和技术特征，存储芯片行业替代品威胁较小;从潜在进入者威胁来看，目前，对于潜在进入者而言，存储芯片行业市场对手过于强大，受资金和技术限制，行业进入壁垒较高，因此存储芯片行业潜在进入者的威胁不大。HYPERLINK"https://bg.qianzhan.com/report/detail/1804231657060836.html"\h文章搜集整理自互联网，如有侵权，请联系删除！