DRAM模块行业分析报告 2022年DRAM模块行业发展前景及规模分析_.docx

DRAM模块行业分析报告2022年DRAM模块行业发展前景及规模分析_产品定义及统计范围DRAM的英文全称是"DynamicRAM"，翻译成中文就是"动态随机存储器"。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。基本简介所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1，而"空"的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电--当然这个电流是有一定限制的，否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间，虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短，只有大约0.2-0.18微秒，但是这个期间内存是不能执行存取操作的。DRAM制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新一次，这也就意味着内存有1%的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变--所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新:执行一次回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期，当然潜伏期也就越长。SRAM，静态(Static)RAM不存在刷新的问题，一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据，而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态--同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的，所以SRAM不存在刷新的问题。SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上，而且潜伏期比DRAM短的多。SRAM仅仅需要2到3个时钟周期就能从CPU缓存调入需要的数据，而DRAM却需要3到9个时钟周期(这里我们忽略了信号在CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间)。DRAM模块行业目前现状分析国内DRAM发展之苦中国是世界最大的电子产品制造国，根据历年来海关总署统计的半导体产业进出口数据，可以看到国内企业每一年花在存储器采购上的资金，高达几千亿美元，并且在一直往上攀升。但由于没有掌握相关核心技术，我国在DRAM的产品定价上一直受制于国际巨头，手机、PC厂商经常遇到DRAM缺货情况。而头部厂商对DRAM市场的垄断和价格操纵，使国内的企业深受其苦。其实这很大程度上是我们的产业基础没有打扎实，我们可以回顾下国内的产业发展历程中的一些关键性节点。·1975年，北京大学物理系半导体研究组在109厂采用硅栅NMOS技术，试制出中国大陆第一块1KDRAM，比美国、日本晚五年；·1978年中科院半导体所成功研制4KDRAM；·1981年中科院半导体研究所成功研制16KDRAM（比韩国晚两年）；·1985年中科院微电子中心研制成功64KDRAM（比韩国晚一年）；·1993年无锡华晶制造出第一块256KDRAM（比韩国晚7年）；·1997年亚洲金融危机爆发，华晶遭遇巨额亏损，最终只能选择转型；·1999年上海华虹量产出64M的DRAM，但由于市场环境恶化，华虹失去日本企业NEC的技术支持，华虹宣布退出DRAM并转型做晶圆代工业务；·2004年中芯国际开始进军DRAM领域；·2008年中芯国际深陷与台积电的官司，被迫放弃了DRAM业务，标志着大陆企业在DRAM领域的尝试，均已失败告终。不难看出，存储器和芯片市场都是国内相当薄弱的环节，要想发展则需要从国外垄断企业中抢夺市场份额。统计数据显示，2017年中国DRAM模块市场规模482.33亿元，到2021年中国DRAM模块市场规模676.04亿元，增长率42.99%。2017-2022年中国DRAM模块市场规模如下：图表：2017-2022年中国DRAM模块市场规模DRAM模块产业链分析所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。图表：DRAM模块产业链资料来源：DRAM模块中国企业SWOT分析DRAM市场长期呈寡头垄断格局，寡头垄断市场会造成定价机制的扭曲，导致供需变化与价格之间的传导较为缓慢，导致供需错配及较大幅度的价格变动。存储芯片新品上市时，受益于业界产量有限及具备技术领先性，存储芯片定价较高；随后受上游市场格局特性及存储晶圆、存储芯片之间存在生产、销售周期间隔等因素影响，存储新品的销售价格变动滞后于存储器产品销售单价及下游需求的变化，产量的调整迟滞于下游市场需求的变