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IBIS模型浅析.pdf

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IBIS模型浅析2006-04-11目录IBIS模型中各曲线的生成IBIS模型的仿真原理IBIS模型的缺点IBIS模型中的各个曲线PullupPulldownPowerclampGroundclamp上升/下降沿RampV/TwaveformIBIS模型等效电路VCC_1VCC_2MOS_udiode_uinput(A)output(B)MOS_ddiode_dGND_1GND_2Pullup曲线在input(A)处加加输入信号使得output(B)为高电平MOS_u处于导通状态MOS_d处于关断状态在VCC_1与output(B)之间加加直流电压源记录该电压源的电流生成电压电流的对应数值列表即为Pullup曲线。Pulldown曲线在input(A)处加加输入信号使得output(B)为低电平MOS_u处于关断状态MOS_d处于导通状态在GND_1与output(B)之间加加直流电压源记录该电压源的电流生成电压电流的对应数值列表即为Pulldown曲线。PowerClamp和GroundClamp曲线使得outputbuffer为高阻状态在VCC_2与output(B)之间加加直流电压源记录该电压源的电流生成PowerClamp即高电平保护二极管的伏安特性。在GND_2与output(B)之间加加直流电压源记录该电压源的电流生成GroundClamp即低电平保护二极管的伏安特性。上升/下降沿Ramp分别设置上升沿和下降沿的输出波形斜率V/T曲线(goldenwaveform)该项非必选项在给定的负载条件下输出信号上升沿和下降沿随时间变化化的波形。IBIS模型的仿真原理利用ramp或VT曲线求解Ku(t)和Kd(t)利用Ku(t)和Kd(t)求解实际的仿真波形Vout和Iout特别注意：Vout和VT曲线没有直接关系求解Ku(t)和Kd(t)VCCVCCMOS_udiode_uoutput(B)外部电路input(A)Iout封装MOS_ddiode_dC_compGNDGNDGND当IBIS模型在A点收到到一个激励励时它开始一个上升沿或下降沿。此后B点的电压波形由ramp或V/T曲线确定。仿真中需要求解的是两个MOS管的导通状态即Kd(t)和Ku(t)两条曲线。此时的外部电路由IBIS模型中的参数确定通常是一个接地或接电源的r_fix电流方程在B点有如下方程：dVI+I+I+I=C_compB+Ipull_upull_dclamp_uclamp_ddtoutIclamp_u和Iclamp_d由两个Clamp曲线确定Ipull_up＝Ku(t)*(VI_pullup曲线对应值)Ipull_down＝Kd(t)*(VI_pulldown曲线对应值)Iout由外部电路负载确定VB由VT曲线给出求解方程只有Ramp时增加加条件Ku(t)+Kd(t)=1对应于上升/下降沿只有一条V/T曲线时同样增加加条件Ku(t)+Kd(t)=1对应上升/下降沿有两条V/T曲线时可有两个方程两个未知数直接求解无需附加加条件。实际电路仿真在B点同样有如下方程：dVI+I+I+I=C_compB+Ipull_upull_dclamp_uc