一种高抗茎腐病玉米的育种方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115399237A(43)申请公布日2022.11.29(21)申请号202210982897.7(22)申请日2022.08.16(71)申请人安徽荃银高科种业股份有限公司地址230088安徽省合肥市高新区创新大道98号(72)发明人冀怀远金锐于新艳朱全贵李丹苏法(74)专利代理机构武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙)42231专利代理师张杰(51)Int.Cl.A01H1/00(2006.01)A01H1/02(2006.01)A01H1/04(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称一种高抗茎腐病玉米的育种方法(57)摘要本发明公开一种高抗茎腐病玉米的育种方法，包括以下步骤：S1.用选自杂交种X1132选系，并经过多代自交选育而成的稳定系Q900作为母本；S2.用昌7‑2×H1035连续经过多代自交选育得到稳定系693作为父本；S3.用稳定系Q900母本与稳定系693父本进行杂交配制组合，采用人工接种鉴定法对杂交后代进行茎腐病鉴定与筛选，选育高抗茎腐病玉米杂交种荃科玉900，而后于黄淮海夏玉米区域进行栽培种植，提高了玉米品种的抗茎腐病及农艺性状的性能。CN115399237ACN115399237A权利要求书1/2页1.一种高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.用选自杂交种X1132选系，并经过多代自交选育而成的稳定系Q900作为母本；S2.用昌7‑2×H1035连续经过多代自交选育得到稳定系693作为父本；S3.用稳定系Q900母本与稳定系693父本进行杂交配制组合，采用人工接种鉴定法对杂交后代进行茎腐病鉴定与筛选，选育高抗茎腐病玉米杂交种荃科玉900，而后于黄淮海夏玉米区域进行栽培种植。2.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，所述母本Q900与父本693的自交地点交替性地选取于海南及蚌埠。3.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，步骤S1中的自交代数为8代。4.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，步骤S2中的自交代数为7代。5.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，所述杂交种X1132由玉米种系PH4CV与PH6WC杂交而得。6.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，所述昌7‑2×H1035由玉米种系517F与南非杂交种二环系杂交而得。7.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，步骤S1中，母本Q900的选育过程如下：以X1132为基础材料，在蚌埠经自交得到S0；在海南种植S0代，选择早熟个体单株进行自交得到S1，并在成熟时选择综合性状优良的S1单株；在蚌埠种植S1代，选择早熟个体单株进行自交得到S2，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S2单株；在海南种植S2代，选择早熟个体单株进行自交得到S3，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S3单株；在蚌埠种植S3代，选择早熟个体单株进行自交得到S4，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S4单株；在海南种植S4代，选择早熟个体单株进行自交得到S5，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S5单株；在蚌埠种植S5代，选择早熟个体单株进行自交得到S6’，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S6’单株；在海南种植S6代，选择早熟个体单株进行自交得到S7’，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S7’单株，S7’田间表现一致，自交稳定，即为母本Q900。8.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法，其特征在于，步骤S2中，父本693的选育过程如下：以昌7‑2×H1035为基础材料，在蚌埠自交得到S0’；在海南种植S0’代，选择早熟个体单株进行自交得到S1’，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S1’单株；在蚌埠种植S1’代，选择早熟个体单株进行自交得到S2’，并在成熟时，通过抗茎腐病2CN115399237A权利要求书2/2页性、抗倒性及产量进行选择，得到S2’单株；在海南种植S2’代，选择早熟个体单株进行自交得到S3’，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S3’单株；在蚌埠种植S3’代，选择早熟个体单株进行自交得到S4’，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S4’单株；在海南种植S4’代，选择早熟个体单株进行自交得到S5’，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择，得到S5’单株；在蚌埠种植S’5代，选择早熟个体单株进行自交得到S’6，并在成熟时，通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选