铜电镀浴及使用该铜电镀浴的电镀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102021616A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102021616A(43)申请公布日2011.04.20(21)申请号201010293494.9(22)申请日2010.09.16(30)优先权数据2009-2150262009.09.16JP(71)申请人上村工业株式会社地址日本大阪府大阪市(72)发明人礒野敏久大村直之清水宏治立花真司(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人吴娟高旭轶(51)Int.Cl.C25D3/38(2006.01)C25D7/12(2006.01)H01L21/288(2006.01)H01L21/3205(2006.01)权利要求书2页说明书16页附图8页(54)发明名称铜电镀浴及使用该铜电镀浴的电镀方法(57)摘要本发明提供对于通孔和盲孔混合存在的基板而言，对通孔的包覆性良好且对盲孔的孔封埋性良好的铜电镀浴及使用该铜电镀浴的电镀方法。本发明涉及使用铜电镀浴的电镀方法，其特征在于，以水溶性铜盐、硫酸及氯离子为主要构成成分，且含有对由二乙烯三胺、己二酸及ε-己内酰胺构成的缩聚物的环氧氯丙烷改性物进行加热处理而生成的聚酰胺多胺作为整平剂。CN1026ACCNN102021616102021630AA权利要求书1/2页1.铜电镀浴，其是以水溶性铜盐、硫酸及氯离子为主要构成成分，且添加下述式(1)表示的化合物而形成的，式(1)中的R1如下述式(2)或(3)所示，R2如下述式(4)所示，l表示0以上的整数，m为1，n表示0以上的整数。2.权利要求1的铜电镀浴，其中，上述式(1)表示的化合物为将下述式(5)表示的化合物加热处理而生成的物质3.权利要求2的铜电镀浴，其中，上述式(5)表示的化合物为由二乙烯三胺、己二酸和ε-己内酰胺构成的缩聚物的环氧氯丙烷改性物。4.权利要求1～3中任一项的铜电镀浴，其是进一步添加选自下述式(6)～(9)的含硫化合物而形成的，H-S-(CH2)a-(O)b-SO3M....(6)式中，R3、R4及R5分别表示碳原子数1～5的烷基，M表示氢原子或碱金属，a表示1～8的整数，b、c及d分别表示0或1。5.权利要求4的铜电镀浴，其是进一步添加下述式(10)表示的聚亚烷基二醇或聚亚2CCNN102021616102021630AA权利要求书2/2页烷基二醇衍生物而形成的，HO-(R6-O)e-H....(10)式中，R6表示碳原子数为2或3的亚烷基，e表示4以上的整数。6.权利要求5的铜电镀浴，其中，上述聚亚烷基二醇为聚乙二醇、聚丙二醇或乙二醇和丙二醇的共聚物。7.铜电镀方法，其中，将具有盲孔和通孔的被电镀物浸没于权利要求1～6中任一项的铜电镀浴中，将该被电镀物作为阴极进行电镀，同时电镀上述通孔内部和盲孔内部。3CCNN102021616102021630AA说明书1/16页铜电镀浴及使用该铜电镀浴的电镀方法技术领域[0001]本发明涉及铜电镀浴及使用该铜电镀浴的电镀方法，尤其是涉及可以良好地适用于盲孔和通孔混合存在的基板的铜电镀浴、以及使用该电镀铜浴的电镀方法。背景技术[0002]伴随着电子零部件小型化的进展，提高集成度的要求，封装技术也从外周终端封装(peripheralterminalpackaging)、区域终端封装(areaterminalpackaging)向三维封装转变。因此，对于半导体芯片和插入元件(interposer)也向通过贯穿电极(throughelectrode贯通電)而导联和结合的实用化的方向进行研究。谋求像贯穿电极对铜镶嵌(copperdamocene銅ダマシン)及印制基板的盲孔填充(viafillingビアフイリンゲ)一样地通过铜电镀而用铜电镀膜对盲孔进行填充。[0003]此外，在印制基板中，因为孔内壁面形成铜镀膜的通孔和孔内填充铜电镀(盲孔填充)的闭塞盲孔(blindviahole)混合存在，故需要同时进行盲孔填充和和通孔电镀。[0004]然而，若使用以盲孔填充为目的的现有的电镀浴进行通孔电镀，则通孔的角部的镀膜厚度异常地薄，而成为角裂纹的原因之一，故不能应用于通孔电镀。此外，例如专利文献1中记载的技术那样的以通孔电镀为目的的电镀，会导致盲孔的内底部的膜厚度变薄，难于用铜电镀析出物填充盲孔。因此，期望可同时电镀盲孔和通孔的电镀浴。[0005]参考文献[0006]专利文献[0007][专利文献1]日本特开2003-321792号公报发明内容[0008]发明所要解决的课题[0009]因此，本发明是参考这样的目前的实际情况而提出的，其目的在于提供能够对混合存在盲孔和通孔的基板进行对盲孔的孔封埋性良好且对通孔的包覆性良好的电镀处理的铜电镀浴及使用此铜电镀浴进行电镀的方法。[0010