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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102160831A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102160831A(43)申请公布日2011.08.24(21)申请号201110125528.8(22)申请日2011.05.16(71)申请人北京大学人民医院地址100044北京市西城区西直门南大街11号北京大学人民医院眼科(72)发明人王凯黎晓新(74)专利代理机构北京中建联合知识产权代理事务所11004代理人朱丽岩刘湘舟(51)Int.Cl.A61F9/08(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片(57)摘要一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,包括芯片基底、埋布在芯片基底内的导线和突出于基底表面且形成阵列的微电极,芯片基底的下端边缘开有至少两个下缝线预留孔,芯片基底自下而上顺序排布有微电极排布下区、微电极排布中区、微电极排布上区、基底缩窄区和基底展宽区,基底展宽区内含有与电极排布区对应的触点,通过埋在芯片基底中的导线与微电极相连。芯片基底在邻近基底缩窄区下端分别开有至少三组两个巩膜切口缝线预留孔,其两边缘分别开有至少两个上缝线预留孔,基底展宽区的两边开有眼外缝线预留孔。本发明可刺激盲人的视网膜神经节细胞,恢复部分视力,避免了医源性视网膜裂孔导致的孔源性视网膜脱离、脉络膜出血和交感性眼炎。CN102683ACCNN110216083102160832A权利要求书1/1页1.一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,包括芯片基底(13)和突出于芯片基底表面且形成阵列的微电极,其特征在于:所述芯片基底(13)的下端边缘开有至少两个下缝线预留孔(8)、(9)、(10),芯片基底(13)自下而上顺序排布有微电极排布下区(1)、微电极排布中区(2)、微电极排布上区(3)、基底缩窄区(5)和基底展宽区(4),所述芯片基底(13)在邻近基底缩窄区(5)下端分别开有至少三组两个巩膜切口缝线预留孔(16),下端的两边缘分别开有至少两个上缝线预留孔(6)、(7),所述基底展宽区(4)的两边开有眼外缝线预留孔(11)、(12),所述基底展宽区(4)排布有与电极排布区(1)、(2)、(3)对应的触点(15),用于引出导线,芯片基底(13)内埋布有连接触点(15)和微电极(14)的导线。2.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述芯片基底(13)是聚酰亚胺或聚对二甲苯材料。3.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述微电极(14)、触点(15)和芯片基底中导线的材料是金属铂或者铂合金。4.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述微电极排布中区(2)为正方形、微电极排布上区(3)和微电极排布下区(1)为长方形。5.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述基底展宽区(4)与基底缩窄区(5)之间为平滑连接线。6.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述下缝线预留孔(8)、(9)、(10)、上缝线预留孔(6)、(7)、眼外缝线预留孔(11)、(12)以及巩膜切口缝线预留孔(16)的孔径是0.2~0.4mm。7.根据权利要求1所述的一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片,其特征在于:所述芯片基底(13)的宽度是6~8mm,微电极排布中区(2)的宽度是4mm~7mm,芯片基底(13)的总长度是49mm~88mm,所述基底展宽区(4)与基底缩窄区(5)的总长度在4mm~12mm之间。2CCNN110216083102160832A说明书1/4页一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片技术领域[0001]本发明涉及一种眼科医疗器械,特别是一种用于人工视觉领域的视网膜前微电极阵列芯片。背景技术[0002]视觉系统是人类认识和改造客观世界最重要的信息来源。人的视觉系统由眼屈光间质和视觉神经系统组成,形成了光信号传播、光电转换和电信号处理传导,最后由视觉中枢结合人们的生活经验进行感知的完整过程。尽管当今的医疗手段对很多致盲眼病如沙眼、白内障、青光眼等,已有了有效治疗方法,但对于视网膜色素变性(RP)等外层视网膜(光感受器)被破坏的眼底疾病仍无十分有效的疗法。仅仅就RP一种疾病而言,其发病率为1/3500-1/4500左右,按照这一数字计算,中国的RP患者约有4万人。[0003]人工视觉假体这一概念的提出,为治疗此类致盲性眼病带来了希望,其设计理念基于这样一个事实,即许多光感受器被破坏的患者,视网膜上仍然能够保存一定数量可以正常传导视觉信号的神经节细胞,因此,通过直