一种原位表征系统分子束外延生长源的延伸装置.pdf

本发明公开了一种原位表征系统分子束外延生长源的伸长装置，它包括有支撑套（11）、限孔盲板（14）、大齿轮（12）、小齿轮（15）、旋转杆（17）和延伸管（28），在支撑套的管腔（11a）的口部装有限孔盲板（14），管腔（11a）内部装有相互啮合的大齿轮（12）和小齿轮（15），旋转杆（17）靠近管腔（11a）内侧壁，小齿轮（15）固定在旋转杆（17）中段，限孔盲板（14）中心开有分子束通孔（35），大齿轮（12）在转轴侧边沿轴向开有分子束过孔（35），延伸管（28）固定插接在支撑套（11）的管筒（11b）

2023-06-28

10

813KB

一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备.pdf

本发明公开了一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备，包括腔室，源炉，第一快门和第二快门；源炉的炉口朝向腔室内设置，第一快门和第二快门向腔室内延伸，且第一快门和第二快门至少部分露出于腔室外壁；通过在腔室外操作第一快门，可将第一快门调整至完全遮挡源炉的蒸发路径的第一位置或者完全离开蒸发路径的第二位置；通过在腔室外操作第二快门，可将第二快门调整至覆盖源炉3炉口正上方的第三位置或者靠近源炉3炉口加热器的第四位置。根据本公开的双快门源炉系统能够保护源炉内的源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸

2023-06-15

10

390KB

样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统.pdf

本发明公开了一种样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统。所述样品生长装置包括真空腔室以及位于真空腔室内的旋转部分和倾斜调节部分，旋转部分包括旋转台、旋转机构和承载于旋转机构上的基片，旋转机构设置于旋转台上且驱动基片绕旋转台周向公转；倾斜调节部分包括倾斜调节机构及与倾斜调节机构相连的分子束源炉，倾斜调节机构在基片公转的过程中调整分子束源炉的倾斜角度，使分子束源炉入射的分子束全覆盖住不同公转位置处的基片。本发明的结构简单紧凑，成本较低，且装卸方便，定位精度高，生产多片样品可通过单个分子束源炉调整角度，进行

2023-06-15

10

451KB

GaAsBi薄膜的分子束外延生长和表征研究的开题报告.docx

GaAsBi薄膜的分子束外延生长和表征研究的开题报告一、选题背景半导体材料作为研究和应用中的重要材料之一，其在电子学、光电子学、能源等领域都有广泛的应用。而外延生长技术，作为半导体材料制备中的重要技术，又分为分子束外延和金属有机化学气相沉积等多种类型。其中，分子束外延生长技术是一种非常理想的半导体材料生长技术，它能够在高真空条件下控制材料的厚度与成分，生长出良好的异质结或量子点结构。而GaAsBi材料，是由GaAs和Bi两种材料组成的复合材料，其具有较高的Bi原子分数，可以调制出更低的带隙和更长的发光波长

2024-09-25

5

11KB

Cd3As2和HgTe拓扑结构材料的分子束外延生长、输运和原位ARPES表征.docx

Cd3As2和HgTe拓扑结构材料的分子束外延生长、输运和原位ARPES表征标题：分子束外延生长、输运和原位ARPES表征Cd3As2和HgTe拓扑结构材料摘要：拓扑材料是当前材料科学研究的前沿领域之一。本文综述了Cd3As2和HgTe两种具有拓扑结构的材料在分子束外延生长、输运和原位ARPES表征方面的研究进展。引言：拓扑材料是一类具有特殊的电子结构和输运性质的材料。Cd3As2和HgTe作为拓扑绝缘体和拓扑半金属的典型代表，因其在二维平面上具有特殊的能带结构而受到广泛关注。本文将重点讨论这两种材料在分

2024-10-26

5

11KB