异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法.pdf

本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、i型AlzGa1-zN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型A

2023-06-28

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AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法.pdf

本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型Al

2023-06-28

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一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法.pdf

本发明涉及半导体紫外光电探测器的技术领域，更具体地，涉及一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法。一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器，其中，包括衬底，利用金属有机化学气相沉积外延外生长法（或分子束外延生长法），依次在衬底上生长的非故意掺杂低温AlN缓冲层，非故意掺杂高温AlN缓冲层，非故意掺杂Al

2023-06-28

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原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法.pdf

本发明公开了一种原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法，主要解决目前增强型高电子迁移率晶体管阈值电压均匀性及工艺重复性差的问题。其制作过程为：(1)在SiC或蓝宝石基片上生长本征GaN层，然后生长厚度为8~16nm、Al组分为25~35％的AlGaN势垒层；(2)在AlGaN势垒层表面生长原位SiN帽层，并进行栅槽刻蚀露出栅区域；(3)在露出栅区域的AlGaN势垒层表面淀积金属Ni和Al；(4)在800℃~860℃下采用快速热退火炉进行氧气环境的高温热处理，形成NiO和Al2O3层；

2023-06-20

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AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法.pdf

本发明公开了一种AlGaN/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管制作方法。主要解决目前增强型高电子迁移率晶体管阈值电压均匀性及工艺重复性差的问题。其制作过程为：(1)在SiC或蓝宝石基片上生长AlGaN/GaN异质结，AlGaN势垒层厚度为8~16nm，Al组分为25~35％；(2)在AlGaN势垒层表面淀积SiN层进行覆盖，并进行栅槽刻蚀露出栅区域；(3)在露出栅区域的AlGaN层表面淀积的金属Ni；(4)在800℃~860℃下采用快速热退火炉进行氧气环境的高温热处理，形成NiO层；(5)在AlGaN层

2023-06-20

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