互连基板、其制作方法及垂直堆叠式半导体组件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106505062A(43)申请公布日2017.03.15(21)申请号201610768709.5H01L21/60(2006.01)(22)申请日2016.08.30(30)优先权数据62/214,1872015.09.03US(71)申请人钰桥半导体股份有限公司地址中国台湾台北市北投区立德路157号3楼(72)发明人林文强王家忠(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人曹玲柱(51)Int.Cl.H01L23/525(2006.01)H01L23/528(2006.01)H01L25/00(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图15页(54)发明名称互连基板、其制作方法及垂直堆叠式半导体组件(57)摘要一种互连基板、其制作方法及垂直堆叠式半导体组件。本发明的互连基板在凹穴周围处设有垂直连接通道，接触垫由凹穴显露，且垂直连接通道由金属柱与金属化盲孔结合而成。该凹穴包括有核心层中的凹口及加强层中的穿口。设置于核心层顶面上的金属柱封埋于加强层中，且电性连接至邻近核心层底面的增层电路。用于垂直连接的金属柱，其可利用凹穴的深度以降低金属柱所需的最小高度。增层电路通过金属化盲孔，电性连接至金属柱，并提供从凹穴显露的接触垫，以用于连接元件。CN106505062ACN106505062A权利要求书1/2页1.一种具有凹穴的互连基板，其特征在于，适用于可堆叠式半导体组件，该互连基板包括：一核心层，其具有一第一表面及一相反的第二表面；一增层电路，其设置于该核心层的该第一表面上，并具有背向该核心层的该第一表面的一外表面；一加强层，其设置于该核心层的该第二表面上，并具有背向该核心层的该第二表面的一外表面；一系列金属柱，其封埋于该加强层中，且由该加强层的该外表面显露，并通过该核心层中的金属化盲孔电性连接至该增层电路；以及一凹穴，其包含该加强层中的一穿口及该核心层中的一凹口，该穿口与该凹口相互对准，且该凹穴具有一底表面及侧壁，该底表面背向该增层电路的该外表面，而该些侧壁由该底表面延伸至该加强层的该外表面，其中，该增层电路具有一系列接触垫，且该些接触垫由该底表面显露。2.根据权利要求1所述的互连基板，其特征在于，还包括一系列辅助金属垫，其被该核心层侧向覆盖，且电性耦接至该些金属柱及该些金属化盲孔，并位于该些金属柱与该些金属化盲孔之间。3.根据权利要求2所述的互连基板，其中，该些辅助金属垫的厚度相等于该凹穴深度。4.根据权利要求1所述的互连基板，其中，该些金属柱延伸超过该加强层的该外表面，且具有未被该加强层覆盖的一选定部位。5.根据权利要求1所述的互连基板，其中，该加强层的厚度大于该些金属柱的高度，且该加强层还包括开孔，其由该加强层的该外表面朝该核心层延伸，且每一该些金属柱具有从该开孔显露的一选定部位。6.一种垂直堆叠式半导体组件，其特征在于，包括：根据权利要求1所述的该互连基板；一第一半导体元件，其设置于该凹穴中，并通过从该凹穴的该底表面显露的该些接触垫，电性耦接至该互连基板；以及一第二半导体元件，其设置于该增层电路的该外表面或该加强层的该外表面上，该第二半导体元件通过该增层电路或该些金属柱，电性耦接至该互连基板。7.根据权利要求6所述的垂直堆叠式半导体组件，其特征在于，还包括一树脂密封元件，其覆盖该底表面，并由该底表面延伸且填充该凹穴中未被该第一半导体元件占据的至少一部分空间。8.一种具有凹穴的互连基板制作方法，其特征在于，该互连基板适用于可堆叠式半导体组件，且该制作方法包括：在一金属载板的一表面上形成一金属凸层；形成一核心层，其覆盖该金属凸层及该金属载板的剩余表面，且该核心层具有背向该金属载板的一第一表面及邻近该金属载板的一相反第二表面；移除该金属载板的一部分，以形成一系列金属柱及一金属块，其中该金属块对准于该金属凸层；由该核心层的该第一表面形成一增层电路，该第一增层电路具有背向该核心层的该第2CN106505062A权利要求书2/2页一表面的一外表面；形成一加强层，其覆盖该核心层的该第二表面及该金属块与该些金属柱的侧壁，该加强层具有背向该核心层的该第二表面的一外表面；以及移除该金属块及该金属凸层，以形成一凹穴，该凹穴包含一穿口及一凹口，该穿口位于该加强层中，而该凹口位于该核心层中，同时该凹穴具有一底表面及侧壁，该些侧壁由该底表面延伸至该加强层的该外表面；其中，该些增层电路的一系列接触垫由该凹穴的该底表面显露，且该些金属柱由该加强层的该外表面显露，并通过该核心层的金属化盲孔，电性连接至该增层电路。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：于形成该核心层前，形成一系列辅助金属垫于该金属载板的该表面上，其中该核心层亦覆盖该些辅助金