一种过流保护电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108768360A(43)申请公布日2018.11.06(21)申请号201810961875.6(22)申请日2018.08.22(71)申请人苏州华芯微电子股份有限公司地址215000江苏省苏州市高新区向阳路198号(72)发明人石万文魏小康(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256代理人王锋(51)Int.Cl.H03K17/081(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种过流保护电路(57)摘要本发明揭示了一种过流保护电路，包括保护电路本体和导通检测电路，导通检测电路用于检测保护电路本体中相关MOS管的导通情况，根据检测结果控制保护电路本体是否触发过流保护机制。本发明可以解决传统过流保护存在时间上的盲区问题。CN108768360ACN108768360A权利要求书1/1页1.一种过流保护电路，其特征在于，包括保护电路本体、逻辑控制电路和导通检测电路，所述保护电路本体包括电流驱动件和与电流驱动件相连的电流检测模块，所述电流驱动件和电流检测模块均接一集成电路管脚，且所述电流驱动件、电流检测模块和导通检测电路均接同一控制端，所述电流检测模块在检测流过集成电路管脚的电流大于其内设定阈值后触发过流保护；所述电流检测模块和导通检测电路的输出端均接入到逻辑控制电路的输入端，所述逻辑控制电路根据所述电流检测模块和导通检测电路的输入，输出相应的控制电平去控制芯片触发或不触发过流保护。2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述电流驱动件为第一场效应管，其栅极接所述控制端。3.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，所述电流检测模块包括第二场效应管、与所述第二场效应管串联的第一负载和第一比较器，所述第二场效应管的栅极接所述控制端，所述第一比较器的两个输入端分别接所述第一负载的两端，用于检测流过所述第一负载的电流大小，输出端与逻辑控制电路的输入端相连。4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于，所述导通检测电路包括第三场效应管、与第三场效应管串联的第二负载和第二比较器，所述第三场效应管的栅极接所述控制端，所述第二比较器的两个输入端中，其中一端接所述第二负载与第三场效应管之间，另一端接一参考电压，且所述第二比较器的输出端与逻辑控制电路的输入端相连。5.根据权利要求4所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一、第二和第三场效应管至少选为PMOS管或NMOS管。6.根据权利要求4或5所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一负载和第二负载至少选为电阻或MOS管。7.根据权利要求5所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一、第二和第三场效应管为PMOS管时，所述第一、第二和第三场效应管的源极均接电源电压，栅极接所述控制端，且所述第一场效应管的漏极接所述集成电路管脚，所述第二场效应管的漏极通过第一负载接所述集成电路管脚，所述第三场效应管的漏极通过第二负载接地。8.根据权利要求5所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一、第二和第三场效应管为NMOS管时，所述第一、第二和第三场效应管的源极均接地，栅极接所述控制端，且所述第一场效应管的漏极接所述集成电路管脚，所述第二场效应管的漏极通过第一负载接所述集成电路管脚，所述第三场效应管的漏极通过第二负载接电源电压。9.根据权利要求7所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二比较器输出的控制电平为低电平，所述逻辑控制电路不触发过流保护；反之，所述第二比较器输出的控制电平为高电平，所述逻辑控制电路容许触发过流保护。2CN108768360A说明书1/4页一种过流保护电路技术领域[0001]本发明涉及一种过流保护技术，尤其是涉及一种反应速度快、保护效果较佳的过流保护电路。背景技术[0002]某些集成电路管脚容易发生误操作或其它原因导致管脚通过的电流过大，从而导致不良后果，比如对芯片或系统造成损伤。所以，一些集成电路管脚，特别是可能通过大电流的管脚需要增加过流保护电路。[0003]过流保护电路的作用是当电流大到一定值后采取一定措施来保护电路或系统。一定措施包括但不限于关闭芯片管脚或系统、重新启动芯片或系统、一定时间或者故障排除后管脚恢复正常的工作状态等。[0004]图1为传统的过流保护电路示意图。其原理是：PMOS管P1为主要的大电流驱动管，PMOS管P2、电阻R1、比较器COMP1组成电流检测模块。当集成电路管脚Y1正常开启时，控制端A为低电平，PMOS管P1及PMOS管P2导通。如果集成电路管脚Y1端接负载，就会有电流从电源VDD端经过PMOS管P1及PMOS管P2流向管脚Y1端。流过PMOS管P1和PMOS管P2的电流大小和他们的沟道宽长比有一个近似的正比关系，流