一种日盲紫外单光子成像系统及方法.pdf
建英****66
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一种日盲紫外单光子成像系统及方法.pdf
本发明属于单光子探测技术领域,尤其涉及一种日盲紫外单光子成像系统及方法,紫外单光子信号入射穿过透紫外玻璃;光电阴极与背照式CMOS位于真空腔室内,光电阴极附着于透紫外玻璃表面且正对背照式CMOS,背照式CMOS位于光电阴极相对侧的真空腔室内壁上;光电阴极设置有高压电极引线,高压电极引线与读出电路连接,通过外部高压电源供电;背照式CMOS设置有电极引脚,所述电极引脚与读出电路连接;读出电路与图像采集与显示单元连接。本发明采用日盲紫外光电阴极与固体互补金属氧化物半导体相结合的方式,具有光电阴极的高灵敏度、电子
一种日盲型紫外成像系统光子计数方法.pdf
本发明公开了一种日盲型紫外成像系统光子计数方法,首先采集物体可见光图像,然后通过图像清晰度评价函数计算出图像的清晰度评价值,然后通过聚焦点爬山搜索算法来计算最佳聚焦点,最佳聚焦点通过调焦电机闭环控制镜片来实现。当镜片达到最佳聚焦点位置时,算出此时的焦距,然后求出物体和镜头的距离。主控制器实时采集紫外图像,并统计出每一帧图像中的紫外光子个数,最后带入物体和镜头的距离求出修正到统一观测距离后的紫外光子数。本发明解决了在不同距离下,对同一紫外信号检测出的光子数不同的问题。
日盲紫外单光子源及其制备方法.pdf
本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法,包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜,pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43eV,且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料,从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制;本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用,既可垂直于衬底发射,也可平行于衬底发射,因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源;其发射波长在小于280nm的日盲波段,且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发
一种带激光测距的日盲紫外成像装置和光子统计方法.pdf
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本发明公开了一种日盲紫外单光子雪崩探测器,包括雪崩光电探测器和多根纳米线;所述雪崩光电探测器为工作在盖革模式下的日盲紫外铝镓氮雪崩光电探测器;所述纳米线为负光电导效应的氮化镓纳米线;所述多根纳米线设于雪崩光电探测器的光敏面上;所述多根纳米线的正极端并联后连接到电压源的正极;所述多根纳米线的负极端并联后连接到雪崩光电探测器的负电极;所述雪崩光电探测器的正电极连接电压源的负极。本发明利用纳米线的负光电导效应来工作,使得雪崩探测器中的雪崩电流在雪崩击穿后得到及时的淬灭,保护二极管,无需传统的淬灭电路,规避了淬灭