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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109494275A(43)申请公布日2019.03.19(21)申请号201811398729.3H01L31/18(2006.01)(22)申请日2018.11.22(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所地址130033吉林省长春市长春经济技术开发区东南湖大路3888号(72)发明人陈一仁宋航张志伟缪国庆蒋红李志明(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人罗满(51)Int.Cl.H01L31/103(2006.01)H01L31/0352(2006.01)H01L31/0304(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,从衬底向外依次包括缓冲层、超晶格层、窗口层、集电极、基极及发射极,所述基极为多周期p-AlGaN/Mg-δ层组成的基极;所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层为p-AlGaN层与Mg-δ层交替重叠若干个周期形成的结构;所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层为经过退火处理的层级结构。本发明的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,解决AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的基极P型AlGaN材料阻抗高、空穴浓度低、空穴迁移率低的问题,本发明的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的基极较现有技术更厚,其形成的集电结耗尽区的光吸收能力更强,可获得高增益的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器。本发明还提供了一种具有上述有益效果的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的制作方法。CN109494275ACN109494275A权利要求书1/2页1.一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,从衬底向外依次包括缓冲层、超晶格层、窗口层、集电极、基极及发射极,其特征在于,所述基极为多周期p-AlGaN/Mg-δ层组成的基极;所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层为p-AlGaN层与Mg-δ层交替重叠若干个周期形成的结构;所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层为经过退火处理的层级结构。2.如权利要求1所述的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,其特征在于,所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层中的p-AlGaN层的厚度的范围为12纳米至15纳米,包括端点值,所述p-AlGaN层的Al组分浓度的范围为0.45至0.55,包括端点值;所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层中的Mg-δ层的厚度的范围为3纳米至5纳米,包括端点值。3.如权利要求2所述的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,其特征在于,所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层的周期数的范围为3周期至5周期,包括端点值。4.如权利要求1所述的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,其特征在于,所述AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器还包括低维光吸收层;所述低维光吸收层设置于所述集电极与所述基极之间。5.如权利要求4所述的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,其特征在于,所述低维光吸收层为p-AlxGa1-xN/p-AlyGa1-yN量子阱或p-AlxGa1-xN/p-AlyGa1-yN超晶格。6.如权利要求5所述的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器,其特征在于,当所述低维光吸收层为p-AlxGa1-xN/p-AlyGa1-yN量子阱时,势阱层p-AlxGa1-xN的厚度的范围为3纳米至5纳米,包括端点值,势垒层p-AlyGa1-yN的厚度为8纳米至10纳米,包括端点值;当所述低维光吸收层为p-AlxGa1-xN/p-AlyGa1-yN超晶格时,p-AlxGa1-xN层和p-AlyGa1-yN层的厚度的范围均为3纳米至5纳米,包括端点值。7.一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上依次设置缓冲层、超晶格层、窗口层及集电极;在所述集电极表面设置多个交叠的p-AlGaN层与Mg-δ层,并且所述p-AlGaN层与所述Mg-δ层数量相同,称所述多个交叠的p-AlGaN层与Mg-δ层为多周期P-AlGaN/Mg-δ预处理层;对所述多周期P-AlGaN/Mg-δ预处理层进行退火处理,得到多周期p-AlGaN/Mg-δ层;在所述多周期p-AlGaN/Mg-δ层表面设置发射极,得到所述AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器。8.如权利要求7所述的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的制作方法,其特征在于,所述对所述多周期p-AlGaN/Mg-δ预处理层进行退火处理时的温度的范围为700摄氏度至850摄氏度,包括端点值。9.如权利要求7所述的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的制作方法,其特征在于,在所述衬底