介质滤波器的电容耦合结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110600841A(43)申请公布日2019.12.20(21)申请号201911039891.0(22)申请日2019.10.29(71)申请人苏州海瓷达材料科技有限公司地址215000江苏省苏州市吴江经济技术开发区庞山路西侧东运科技园3#厂房(72)发明人徐华(51)Int.Cl.H01P1/20(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称介质滤波器的电容耦合结构(57)摘要本发明公开一种介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体以及位于介质滤波器本体上的第一调试孔和第二调试孔，所述第一调试孔和第二调试孔之间设有至少一个负耦合孔，所述负耦合孔的开口方向与第一调试孔和第二调试孔的开口方向相同；所述负耦合孔为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体外侧，另一端位于滤波器本体内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔、第二调试孔和下部盲孔的内壁均设有导电层。本发明可以在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。CN110600841ACN110600841A权利要求书1/1页1.一种介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：包括介质滤波器本体（1）以及位于介质滤波器本体（1）上的第一调试孔（2）和第二调试孔（3），所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）之间设有至少一个负耦合孔（4），所述负耦合孔（4）的开口方向与第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的开口方向相同；所述负耦合孔（4）为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体（1）外侧，另一端位于滤波器本体（1）内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔（2）、第二调试孔（3）和下部盲孔的内壁均设有导电层。2.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的上部通孔的深度小于第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的深度。3.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的总深度分别大于第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的深度。4.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）设有2个。5.根据权利要求2所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的总深度为第一调试孔（2）深度的1.1~1.3倍。6.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）为盲孔。7.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述介质滤波器本体（1）的材质为非金属材料。2CN110600841A说明书1/3页介质滤波器的电容耦合结构技术领域[0001]本发明涉及一种介质滤波器的电容耦合结构，属于通信技术领域。背景技术[0002]随着无线通信技术的日益发展，无线通信基站分布越来越密集，对基站的体积要求越来越小，其中射频前端滤波器模块在基站中的体积占比比较大，因此，对滤波器的体积需求也是越来越小。但是，在减小金属同轴腔滤波器的体积时发现：滤波器的体积越小，表面电流越大，损耗越大，功率承受能力越低，即功率容量越小。也就是说，随着金属同轴腔滤波器体积的减小，其性能指标变差。目前，有一种小型化滤波器，即实心介质滤波器，得到广泛应用，但在实心介质滤波器中实现电容耦合（或称负耦合）的结构较为复杂，工艺实现难度大，而且容易导致通带较近频率产生寄生通带，因此，如何提供一种结构简单、工艺难度低的介质滤波器成为本领域技术人员的研究方向。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种介质滤波器的电容耦合结构，该介质滤波器的电容耦合结构可以在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。[0004]为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体以及位于介质滤波器本体上的第一调试孔和第二调试孔，所述第一调试孔和第二调试孔之间设有至少一个负耦合孔，所述负耦合孔的开口方向与第一调试孔和第二调试孔的开口方向相同；所述负耦合孔为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体外侧，另一端位于滤波器本体内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔、第二调试孔和下部盲孔的内壁均设有导电层。[0005]上述技术方案中进一步改进的方案如下：1.上述方案中，所述负耦合孔的上部通孔的深度小于第一调试孔和第二调试孔的深度。[0006]2.上述方案中，所述负耦合孔的总深度分别大于第一调试孔和第二调试孔的深度。[0007]3.上述方案中，所述负耦合孔设有2个。[00