多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111596341A(43)申请公布日2020.08.28(21)申请号202010600566.3(22)申请日2020.06.28(71)申请人中国科学技术大学地址230026安徽省合肥市包河区金寨路96号(72)发明人周意吕游宋国锋尚伦霖张广安鲁志斌刘建北张志永邵明(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人孙蕾(51)Int.Cl.G01T1/26(2006.01)C23C14/06(2006.01)C23C14/35(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法(57)摘要本公开提供一种多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，包括：步骤S1：制备基材材料，包括读出电极基材，通孔单元基材，气隙垫片，平板电极基材，漂移电极基材；步骤S2：利用步骤S1所制备的基材材料制备读出电极，平板电极，漂移电极，以及通孔单元；步骤S3：在读出电极上依次交替安装通孔单元区和平板电极，直至安装至第N层通孔单元区，N≥2，得到全阻性盲孔型放大区；以及步骤S4：在步骤S3所制备的全阻性盲孔型放大区上方安装漂移电极和窗，完成多气隙全阻性盲孔型探测器的制作。CN111596341ACN111596341A权利要求书1/1页1.一种多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，包括：步骤S1：制备基材材料，包括读出电极基材，通孔单元基材，气隙垫片，平板电极基材，漂移电极基材；步骤S2：利用步骤S1所制备的基材材料制备读出电极，平板电极，漂移电极，以及通孔单元；步骤S3：在读出电极上依次交替安装通孔单元区和平板电极，直至安装至第N层通孔单元区，N≥2，得到全阻性盲孔型放大区；以及步骤S4：在步骤S3所制备的全阻性盲孔型放大区上方安装漂移电极和窗，完成多气隙全阻性盲孔型探测器的制作。2.根据权利要求1所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，步骤S2包括：子步骤S21：在读出电极基材上表面制备DLC薄膜得到读出电极；子步骤S22：在平板电极基材的上下表面制备DLC薄膜得到平板电极；子步骤S23：在漂移电极基材的下表面制备DLC薄膜得到漂移电极；以及子步骤S24：在通孔单元基材的上表面制备DLC薄膜后制作小孔阵列，得到通孔单元。3.根据权利要求2所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，读出电极的上表面DLC的厚度在40nm～1μm之间，面电阻率在10MΩ/□～2GΩ/□之间。4.根据权利要求2所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，漂移电极的下表面的DLC厚度在40nm～1μm之间，面电阻率在50MΩ/□～10GΩ/□。5.根据权利要求2所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，平板电极的上下表面的DLC厚度在40nm～1μm之间，面电阻率在50MΩ/□～10GΩ/□。6.根据权利要求2所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，通孔单元的上表面DLC厚度在40nm～1μm之间；面电阻率在50MΩ/□～10GΩ/□。7.根据权利要求2所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，通孔单元中小孔阵列中小孔的孔径在0.2mm～0.8mm之间，小孔之间的间距在0.4mm～1.6mm之间。8.根据权利要求1所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，步骤S3，包括：子步骤S31：在读出电极上安装定位针；子步骤S32：通过定位针在读出电极上安装第一层通孔单元区；子步骤S33：在第一层通孔单元区上安装第一层平板电极；以及子步骤S34：在第一层平板电极上继续安装第二层通孔单元区以及第二层平板电极，直至安装至第N层通孔单元区，完成全阻性盲孔型放大区的制备。9.根据权利要求1所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，通孔单元基材为双层板，厚度在0.15mm～0.8mm之间。10.根据权利要求1所述的多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，气隙垫片厚度在0.2mm～1mm之间。2CN111596341A说明书1/7页多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法技术领域[0001]本公开涉及气体探测器技术领域，尤其涉及一种多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法。背景技术[0002]气体探测器由于其低廉的造价、较高的位置分辨以及时间分辨、很强的抗辐照能力等性能特点而广泛应用于当前的核与粒子物理实验当中。精确的时间测量与位置测量相结合，是核与粒子物理实验当中实现粒子鉴别最常用的方法。因此同时具有较高精度定时以及高精度定位性能的气体探测器在核与粒子物理实验中具有极高的应用前景。目前主流的气体探测器是能够实现高位置分辨和高计数率能力的微孔型、微网型等微结构气体探测器，以及能够实现高时间分辨能力的多气隙平板型探测器。微结构气体探测器得益于半导体探测器上的精细加工技术，能够