一种新型天线结构及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111769354A(43)申请公布日2020.10.13(21)申请号202010660525.3(22)申请日2020.07.10(71)申请人东莞美景科技有限公司地址523000广东省东莞市塘厦镇石鼓村塘天南路33号2栋六楼(72)发明人杨孟刘飞游志聪(74)专利代理机构深圳市汇信知识产权代理有限公司44477代理人赵英杰(51)Int.Cl.H01Q1/24(2006.01)H04M1/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图7页(54)发明名称一种新型天线结构及制备方法(57)摘要本发明公开了一种新型天线结构及制备方法，包括壳体，壳体的右侧面上设有开口向右的凹槽，壳体的左侧面中部自右向左依次设有第一粗化处理层、第一导电层、打磨层以及喷漆层，凹槽的左端向左贯穿壳体及第一粗化处理层开设有左小右大开口向右的锥台状盲孔,盲孔的内壁、第一粗化处理层与盲孔的连接处的右侧及盲孔右侧周边的壳体上自左向右依次设有第二粗化处理层和第二导电层，所述第二粗化处理层上金属喷涂形成所述第二导电层；所述第一粗化处理层上金属喷涂形成所述第一导电层，所述第一导电层与所述第一导电层周边的所述壳体打磨形成打磨层，所述打磨层上设有所述喷漆层。本发明具有容易加工，不良率低等优点。CN111769354ACN111769354A权利要求书1/1页1.一种新型天线结构，其特征在于：包括壳体，壳体的右侧面上设有开口向右的凹槽，壳体的左侧面中部自右向左依次设有第一粗化处理层、第一导电层、打磨层以及喷漆层，凹槽的左端向左贯穿壳体及第一粗化处理层开设有左小右大开口向右的锥台状盲孔,盲孔的内壁、第一粗化处理层与盲孔的连接处的右侧及盲孔右侧周边的壳体上自左向右依次设有第二粗化处理层和第二导电层，所述第二粗化处理层上金属喷涂形成所述第二导电层；所述第一粗化处理层上金属喷涂形成所述第一导电层，所述第一导电层与所述第一导电层周边的所述壳体打磨形成打磨层，所述打磨层上设有所述喷漆层。2.根据权利要求1所述的一种新型天线结构，其特征在于：所述第一导电层和第二导电层均由一层或多层金属颗粒或粉末涂层构成。3.一种如权利要求2所述的一种新型天线结构结构的制备方法，其特征在于：包括以下几个步骤：S1、取且右侧面开设有开口向右凹槽的壳体，且将所述壳体左侧及右侧部分区域进行遮蔽处理，露出壳体左侧面及右侧面上需要喷涂的区域；S2、在壳体的左侧面需要金属喷涂的区域加工相应的天线图案凹槽位；S3、将所述天线图案凹槽位进行表面处理形成所述第一粗化处理层；S4、将金属颗粒或粉末经金属喷涂技术喷涂在所述第一粗化处理层上，形成所述第一导电层；S5、利用打标机在壳体的凹槽的左端上向左贯穿壳体及壳体左侧面上的第一粗化处理层打孔且与所述第一导电层的右侧面形成左小右大开口向右的锥台状盲孔，与此同时，在盲孔的内壁、第一粗化处理层与盲孔的连接触的右侧及盲孔右侧周边的壳体上进行表面处理形成所述第二粗化处理层；S6、在第二粗化处理层上进行金属喷涂，形成第二导电层；S7、除去步骤S1中的遮蔽处理；S8、利用打磨机器对所述第一导电层及所述第一导电层周边壳体进行打磨，打磨至所述第一导电层与所述第一导电层周边壳体在同一个平面上，形成相应的所述打磨层；S9、利用喷漆设备对所述打磨层进行喷漆处理，形成所述喷漆层。4.根据权利要求3所述的一种新型天线结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中的天线图案凹槽位的深度值为0.01-0.1mm。5.根据权利要求3所述的一种新型天线结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S4和步骤S6中的金属颗粒的直径为2-100μm。6.根据权利要求3所述的一种新型天线结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S4和步骤S6中金属颗粒或粉末喷涂一层或多层，形成的所述第一导电层和第二导电层的厚度均为0.02-0.5mm。7.根据权利要求3所述的一种新型天线结构的制备方法，其特征在于：所述喷漆层的厚度为8-150μm。2CN111769354A说明书1/6页一种新型天线结构及制备方法技术领域[0001]本发明属于电子设备技术领域，具体涉及一种新型天线结构及制备方法。背景技术[0002]现有的手机等电子设备的天线通常设置在手机的内部，随着手机的功能的增多，相应的电子元器件也越来越多，手机内部空间利用率已达到极限，而随着5G时代的到来，天线的数量显著增加，为了满足天线设计上对净空要求，势必需要将天线尽量设置远离内部的金属类零部件，因此将手机天线设置在手机壳体外观侧是大势所趋，即不将天线设置在手机的内部将成为主流，市场上已经出现将天线制备在壳体上的方法，采用这种方式生产的壳体都有预留孔或预埋连接支架，然后通过在预留孔内安装连接架的方式最终将天线