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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113113543A(43)申请公布日2021.07.13(21)申请号202110329564.X(22)申请日2021.03.29(71)申请人金华紫芯科技有限公司地址321042浙江省金华市金东区江东镇金武北街180号配套附属用房1楼(72)发明人郭道友王顺利吴超吴小平(51)Int.Cl.H01L51/46(2006.01)H01L51/42(2006.01)H01L51/44(2006.01)H01L23/544(2006.01)H01L51/48(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称有机小分子-氧化镓异质结的柔性日盲探测器及制备方法(57)摘要本发明属于光电转换技术领域,具体涉及有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器及制备方法,探测器包括PET/ITO柔性衬底、a‑GaO光吸收层、NPB层、第一测试电极和第二测试电极,PET/ITO柔性衬底包括PET层和位于PET层上的ITO层;a‑GaO光吸收层位于ITO层背离PET层的上方;NPB层位于a‑GaO光吸收层背离PET/ITO柔性衬底一面;第二测试电极位于ITO层背离PET层一侧;第一测试电极位于NPB层背离a‑GaO光吸收层一侧;其中,a‑GaO光吸收层与NPB层形成a‑GaO/NPB异质结,形成内建电场,以分离光生载流子。探测器具有自供电性能,且为柔性,很好地满足了可穿戴设备的要求,在智能监控领域具有潜在的应用前景。CN113113543ACN113113543A权利要求书1/2页1.一种有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器,其特征在于,包括:PET/ITO柔性衬底,所述PET/ITO柔性衬底包括PET层和位于所述PET层上的ITO层;a‑GaO光吸收层,所述a‑GaO光吸收层位于所述ITO层背离所述PET层的上方;NPB层,位于所述a‑GaO光吸收层背离所述PET/ITO柔性衬底一面;第二测试电极,位于所述ITO层背离所述PET层一侧;第一测试电极,位于所述NPB层背离所述a‑GaO光吸收层一侧;其中,所述a‑GaO光吸收层与所述NPB层形成a‑GaO/NPB异质结,形成内建电场,以分离光生载流子。2.根据权利要求1所述的有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器,其特征在于,所述a‑GaO光吸收层的厚度为400nm,所述NPB层厚度为200nm。3.根据权利要求1所述的有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器,其特征在于,所述a‑GaO光吸收层的面积大于所述NPB层的面积,所述NPB层的面积为所述a‑GaO光吸收层的面积的三分之二。4.根据权利要求1所述的有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器,其特征在于,所述a‑GaO光吸收层的面积小于所述PET/ITO柔性衬底的面积。5.根据权利要求1所述的有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器,其特征在于,所述第一测试电极和第二测试电极均为Ti/Au复合电极,所述Ti/Au复合电极由Ti层和Au层构成,所述Ti层的厚度为10nm,所述Au层的厚度为50nm。6.一种制备权利要求1‑5任意一项所述的有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器的方法,包括:步骤一,将预处理后的PET/ITO柔性衬底采用热释放胶带遮挡部分所述PET/ITO柔性衬底的ITO层,放入沉积室在柔性衬底上采用磁控溅射法生长a‑GaO薄膜,形成a‑GaO光吸收层,即获得PET/ITO柔性衬底/a‑GaO光吸收层,其中,磁控溅射法生长沉积条件如下,背底真空为1×10‑4Pa,PET/ITO柔性衬底温度为室温,工作气氛为Ar气,Ar气气流为10SCCM,工作气压为0.8Pa,溅射功率为200W;步骤二,在所述热释放胶带和所述所述a‑GaO光吸收层上旋涂NPB溶液,形成NPB层,加热去除所述热释放胶带,获得位于所述PET/ITO柔性衬底上的a‑GaO/NPB异质结;步骤三,将步骤二制备的位于所述PET/ITO柔性衬底上的a‑GaO/NPB异质结的NPB层背离所述a‑GaO光吸收层上制作第一测试电极,在所述PET/ITO柔性衬底的ITO层上制作第二测试电极,形成有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述NPB溶液为将NPB粉末分散在四氢呋喃溶液中,超声20分钟获得分散后的NPB溶液,所述NPB粉末与四氢呋喃溶液的质量体积比为10mg:1ml;所述旋涂NPB溶液的旋转参数为:500转速旋转5秒,和/或3000转速旋转40秒。8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述将步骤二制备的位于所述PET/ITO柔性衬底上的a‑GaO/NPB异质结的NPB层背离所述a‑GaO光吸收层上制作第一测试电极,在所述PET