一种触控基板及其制备方法、触控显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113157129A(43)申请公布日2021.07.23(21)申请号202110241300.9(22)申请日2021.03.04(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人重庆京东方显示技术有限公司(72)发明人李杰张伟郑云蛟卢玉群(74)专利代理机构北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435代理人郭栋梁(51)Int.Cl.G06F3/041(2006.01)G06F3/044(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称一种触控基板及其制备方法、触控显示装置(57)摘要本申请公开了一种触控基板及其制备方法、触控显示装置，其中一种触控基板，包括若干自容式触控电极和若干触控走线，每一所述自容式触控电极分别连接一根所述触控走线，所述若干触控走线至少部分设置在黑矩阵层，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线由遮光导电图案构成。本申请实施例提供的触控基板，通过将触控走线部分或者全部设置到黑矩阵层，解决了单层自容触控盲区大的问题，减少了制作工艺，节省了材料，并且通过能够显著减少阴极与触控金属层之间的寄生电容，减少干扰问题。CN113157129ACN113157129A权利要求书1/2页1.一种触控基板，包括若干自容式触控电极和若干触控走线，每一所述自容式触控电极分别连接一根所述触控走线，其特征在于，所述若干触控走线至少部分设置在黑矩阵层，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线由遮光导电图案构成。2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述若干触控走线均设置在黑矩阵层，或者，所述若干触控走线中一部分设置在所述黑矩阵层，其余部分设置在与所述自容式触控电极同层区域。3.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板包括显示区域与边框区域，所述若干自容式触控电极在所述显示区域内阵列排布，所述触控走线包括经过所述显示区域的第一走线段和设置在所述边框区域的第二走线段，所述第一走线段与所述自容式触控电极相连，所述第二走线段与TDDI芯片相连。4.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线中，所述第一走线段通过过孔与所述自容式触控电极电连接。5.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，设置在所述自容式触控电极同层区域内的所述触控走线中，所述第一走线段沿所述触控基板的短端方向引出，相邻两行或列的所述自容式触控电极连接的所述第一走线段分别向相反方向引出。6.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，还包括阵列基板，所述阵列基板至少包括层叠设置的衬底基板、像素单元、发光层、薄膜封装层，所述黑矩阵层设置在所述阵列基板与所述自容式触控电极的两层之间位置，所述像素单元至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体、阴极、显示走线。7.根据权利要求6所述的触控基板，其特征在于，所述黑矩阵层上还设置有对应所述像素单元发光体位置的开口，所述开口位置处设置有色阻单元。8.根据权利要求6所述的触控基板，其特征在于，靠近所述TDDI芯片位置处的黑矩阵层上设置有保护区，所述保护区在所述阵列基板上的垂直投影至少覆盖所述触控走线和所述像素单元的显示走线。9.根据权利要求8所述的触控基板，其特征在于，所述保护区连接所述TDDI芯片的GND端，或连接FPC的GND端。10.一种触控基板的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1‑9任一所述的触控基板，所述方法包括：形成阵列基板，包括在底衬基板上形成多个像素电路，在像素电路上依次形成发光层和封装层，所述像素单元至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体、阴极、显示走线；在所述封装层上形成黑矩阵层；在所述黑矩阵层上通过构图工艺形成所述开口、所述触控走线及所述保护区的图案，所述触控走线包括经过所述显示区域的第一走线段和设置在所述边框区域的第二走线段，所述开口对应所述像素单元发光体位置，所述保护区在所述阵列基板上的垂直投影至少覆盖所述触控走线和所述像素单元的显示走线；在所述开口位置形成色阻单元；在所述黑矩阵层上形成第一平坦层，并在所述第一平坦层上形成过孔，所述过孔与所述触控走线的第一走线段连通；在所述第一平坦层上形成触控金属层，并通过构图工艺形成自容式触控电极；在所述触控金属层上形成第二平坦层。2CN113157129A权利要求书2/2页11.根据权利要求10所述的触控基板的制备方法，其特征在于，在所述黑矩阵层上形成部分所述触控走线图案，其余部分所述触控走线在所述触控金属层上形成。12.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求1‑9任一所述的触控基板。3CN113157129A说明书1/7页一种触控基板及其制备方法、触控显示装置技术领域[0001]本申请一般涉及