数码电子雷管抗干扰的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113983880A(43)申请公布日2022.01.28(21)申请号202111412462.0(22)申请日2021.11.25(71)申请人杭州国芯科技股份有限公司地址310012浙江省杭州市文三路90号东部软件园创新大厦A座5-6层(72)发明人张小飞来永胜章南叶剑兵(74)专利代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240代理人陈炜(51)Int.Cl.F42C19/12(2006.01)F42D1/05(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称数码电子雷管抗干扰的方法(57)摘要本发明公开了数码电子雷管抗干扰的方法。在小断面爆破时，电磁干扰易引起电子雷管盲炮现象。本发明方法在电解电容正极与控制芯片的充电管脚间设置PNP三极管，PNP三极管的发射极接控制芯片的充电管脚，集电极接电解电容的正极，基极通过限流电阻接控制芯片的参考地平面脚和电解电容的负极。本发明通过PNP三极管稳定电解电容的电流，当有电流脉冲进入控制芯片，即使电流脉冲击穿控制芯片内部的半导体管，电解电容的总消耗电流与PNP三极管的反向放大系数相关，与控制芯片抽取电解电容的电流无关，实现电解电容对控制芯片和隔离防护电路正常供电。本发明方法实施方式简单，安全可靠，有效的实现对电解电容的保护，避免出现盲炮的现象。CN113983880ACN113983880A权利要求书1/1页1.数码电子雷管抗干扰的方法，其特征在于，采用的控制电路包括：整流桥、控制芯片U、隔离防护电路G、电解电容C、点火桥丝Rw、PNP三极管Q、限流电阻R；所述的整流桥包括四个二极管，第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阳极连接后接电子雷管的一个引脚线P；第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阴极连接后接电子雷管的另一个引脚线N；第二二极管D2的阴极与第三二极管D3的阴极连接作为整流桥的电源输出端，通过隔离防护电路G接控制芯片U的电源端Vcc；第一二极管D1的阳极与第四二极管D4的阳极连接作为整流桥的回流端，接控制芯片U的参考地平面脚Vss、电解电容C的负极和限流电阻R的一端；PNP三极管Q的发射极接控制芯片U的充电管脚HVout，集电极接电解电容C的正极和点火桥丝Rw的一端，基极接限流电阻R的另一端，点火桥丝Rw的另一端接控制芯片U的点火开关g；当有其他电子雷管起爆，炸药爆炸引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子雷管的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲由引脚线P/N进入控制芯片U，即使电流脉冲击穿控制芯片U内部的半导体管，电解电容C的总消耗电流Ice与PNP三极管Q的反向放大系数α相关，与控制芯片U抽取电解电容C的电流无关，实现电解电容C对控制芯片U和隔离防护电路G正常供电；设定PNP三极管Q的正向放大系数β和反向放大系数α，以及限流电阻R阻值，满足起爆器对电解电容C快速充电，和电解电容C能够提供足够的总消耗电流的要求。2.如权利要求1所述的数码电子雷管抗干扰的方法，其特征在于：所述的限流电阻的阻值Vc为起爆器设定的充电电压，Ibmax为PNP三极管Q的最大基极电流，即控制芯片U和隔离防护电路G要求的正常工作电流的和。3.如权利要求2所述的数码电子雷管抗干扰的方法，其特征在于：所述的PNP三极管Q的反向放大系数Ieu为控制芯片U和隔离防护电路G所需的总供电电流；所述的PNP三极管Q的正向放大系数电解电容C的充电电流Icc＝0～Iccmax，Iccmax为设定的电解电容C的最大充电电流。2CN113983880A说明书1/3页数码电子雷管抗干扰的方法技术领域[0001]本发明属于电子雷管技术领域，涉及一种数码电子雷管抗干扰的方法。背景技术[0002]电子雷管与非电雷管相比有更精准的起爆延期时间控制、起爆能量控制、安全控制等功能，得到广泛应用。由于电子雷管涉及爆破作业，本身的安全性要求及高。要求电子雷管在复杂环境下的电磁干扰及误操作下能够不被误引爆。特别在小断面爆破时，当电子雷管的感应电压与感应电流易引起电子雷管的误引爆与拒爆。[0003]数码电子雷管与传统导爆管相比，延时控制精确和安全性高，应用越来越广泛；但是在一些复杂环境，如直径小于2m的断面、涉水面等，盲炮概率高的缺陷尤其明显。基本原因是多发数码电子雷管组网时，由于数码电子雷管内部设置的起爆延时不一样，先爆破的数码电子雷管、炸药等综合作用会产生强电磁波干扰信号，频率可达到100MHz，电压峰值可达10KV以上。这样的干扰信号由未爆的数码电子雷管的两根脚线导入到数码电子雷管控制模块，形成强负压冲击，瞬时击穿数码电子雷管控制模块内部的半导体管，造成负载增大，导致电容产生强电流放电，出现电容电量不足，造成数码电子雷管控制模块停止工作