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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115193234A(43)申请公布日2022.10.18(21)申请号202210899633.5(22)申请日2022.07.28(71)申请人上海协微环境科技有限公司地址201801上海市嘉定区丰登路333号33幢(72)发明人王福清郭潞阳(74)专利代理机构北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)11386专利代理师程虹(51)Int.Cl.B01D53/56(2006.01)B01D53/76(2006.01)B01D53/18(2006.01)B01D53/30(2006.01)B01D47/14(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图6页(54)发明名称一种NO去除器和半导体尾气处理设备(57)摘要本发明公开了一种NO去除器和半导体尾气处理设备,属于半导体尾气处理技术领域,解决了现有技术中一氧化氮的去除率较低的问题。该NO去除器包括臭氧发生器、反应管和旋流器;旋流器包括支撑环、设于支撑环的环内区域的盲板以及设于支撑环与盲板之间的多个旋流叶片,旋流叶片的一端与支撑环连接,旋流叶片的另一端与盲板连接,支撑环支撑于反应管的内壁,旋流叶片的出气端、反应管的侧壁开设注入口,臭氧发生器的出气口与注入口连通。该处理设备包括沿尾气流动方向依次设置的燃烧反应单元、水箱、喷淋单元和NO去除器。该NO去除器和半导体尾气处理设备可用于半导体尾气处理。CN115193234ACN115193234A权利要求书1/1页1.一种NO去除器,其特征在于,包括臭氧发生器、反应管和旋流器;所述旋流器包括支撑环、设于支撑环的环内区域的盲板以及设于支撑环与盲板之间的多个旋流叶片;所述旋流叶片的一端与支撑环连接,所述旋流叶片的另一端与盲板连接,所述支撑环支撑于反应管的内壁;所述反应管的侧壁开设注入口,所述注入口位于旋流叶片的出气端,所述臭氧发生器的出气口与注入口连通。2.根据权利要求1所述的NO去除器,其特征在于,所述旋流叶片的数量为多个;和/或,注入口的数量为多个,多个注入口沿反应管的周向均匀布置。3.根据权利要求1所述的NO去除器,其特征在于,所述支撑环的外径与反应管相应处的内径相匹配;和/或,所述盲板与支撑环内径的直径比为1:4~5。4.根据权利要求1所述的NO去除器,其特征在于,进气端至出气端,所述反应管包括依次连接的收缩段、直管段和扩张段,所述旋流器设于直管段中,所述注入口开设在直管段上。5.根据权利要求4所述的NO去除器,其特征在于,所述收缩段的出气端直径、直管段直径和扩张段的进气端直径相等;和/或,所述收缩段的进气端与直管段的直径比为1:2~4;和/或,所述扩张段的出气端与直管段的直径比为1:2~4;和/或,所述收缩段的进气端直径为80~300mm;和/或,所述扩张段的出气端直径为80~300mm;和/或,所述直管段的长度为80~200mm。6.根据权利要求4所述的NO去除器,其特征在于,所述收缩段的侧壁与轴向的夹角为15~45°;和/或,所述扩张段的侧壁与轴向的夹角为15~45°。7.根据权利要求1至6任一项所述的NO去除器,其特征在于,还包括与反应管的出气口连通的臭氧销毁器。8.根据权利要求1至6任一项所述的NO去除器,其特征在于,还包括喷淋塔,所述反应管的出气口与喷淋塔连接。9.根据权利要求1至6任一项所述的NO去除器,其特征在于,还包括设于反应管进气口处的NOX检测器。10.一种半导体尾气处理设备,其特征在于,包括沿尾气流动方向依次设置的燃烧反应单元、水箱、喷淋单元以及如权利要求1至9任一项所述的NO去除器。2CN115193234A说明书1/9页一种NO去除器和半导体尾气处理设备技术领域[0001]本发明属于半导体尾气处理技术领域,尤其涉及一种NO去除器和半导体尾气处理设备。背景技术[0002]近年来,由于社会经济快速发展,以半导体、太阳能光伏、平板显示和LED为代表的泛半导体产业迅猛发展。但是在相关产品的生产过程中会产生大量的尾气,这些尾气普遍具有易燃、有毒、高温室效应等性质,处理不当会产生严重的安全事故,造成重大经济损失,也会对人和环境造成严重威胁,必须将这些有害气体无害化处理后才能排放到环境中去。[0003]通常对于这些气体的无害化处理方法是将气体通入高温反应腔,有害气体在高温(>1000℃)下与氧气进行反应,有害气体反应生成危险性较低的产物排放到后续处理系统中。在高温氧化反应过程中,会生成大量氮氧化物副产物。氮氧化物主要指NO和NO2,在大气中易形成酸雾和光化学烟雾,同样需要去除。[0004]现有技术中,氮氧化物无法通过酸洗塔有效去除,因此,对于NOx均是独立设置去除氮氧化物的设备,利用高温还原等技术去除尾气中的NOx,采用上述技术,对于一氧化氮的去除率较