薄膜光伏电池.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102088039A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102088039A(43)申请公布日2011.06.08(21)申请号201010557838.2(22)申请日2010.11.22(30)优先权数据61/263,3982009.11.22US(71)申请人杜邦太阳能有限公司地址中国香港新界白石角香港科学园科技大道西8号尚湖楼西5楼501-509室(72)发明人林于庭黄士哲徐文凯(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人陈红(51)Int.Cl.H01L31/042(2006.01)H01L31/052(2006.01)H01L31/0352(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称薄膜光伏电池(57)摘要本发明提供一种薄膜光伏电池，其包含：一透明基板，其上具有微突起，其中该些微突起的高度、宽度及间隔大于入射光波长的十倍且小于该光伏电池的宽度；共形的一透明导电氧化层，其位于该透明基板上；共形的一半导体层，其位于该透明导电氧化层上；及共形的一金属层，其位于该半导体层上。在光伏电池的表面上产生大小在微米等级的微突起，让入射光产生散射效应及多次反射效应。CN102839ACCNN110208803902088044A权利要求书1/1页1.一种薄膜光伏电池，其特征在于，其包含：一透明基板，其上具有微突起，其中该些微突起的高度、宽度及间隔大于入射光波长的十倍且小于该光伏电池的宽度；共形的一透明导电氧化层，其位于该透明基板上；共形的一半导体层，其位于该透明导电氧化层上；及共形的一金属层，其位于该半导体层上。2.根据权利要求1所述的薄膜光伏电池，其特征在于，该些微突起的该高度、该宽度及该间隔分别为0.1μm至10μm、0.1μm至10μm及0.1μm至20μm。3.一种薄膜光伏电池，其特征在于，其包含：一透明基板；一透明导电氧化层，其上具有微突起，其中该些微突起的高度、宽度及间隔大于入射光波长的十倍且小于该光伏电池的宽度；共形的一半导体层，其位于该透明导电氧化层上；及共形的一金属层，其位于该半导体层上。4.根据权利要求3所述的薄膜光伏电池，其特征在于，该些微突起的该高度、该宽度及该间隔分别为0.1μm至10μm、0.1μm至10μm及0.1μm至20μm。5.一种薄膜光伏电池，其特征在于，其包含：一金属基板，其上具有微突起，其中该些微突起的高度、宽度及间隔大于入射光波长的十倍且小于该光伏电池的宽度；共形的一半导体层，其位于该金属基板上；及共形的一透明导电氧化层，其位于该半导体层上。6.根据权利要求5所述的薄膜光伏电池，其特征在于，该些微突起的该高度、该宽度及该间隔分别为0.1μm至10μm、0.1μm至10μm及0.1μm至20μm。2CCNN110208803902088044A说明书1/4页薄膜光伏电池技术领域[0001]本发明是有关于一种薄膜光伏电池。背景技术[0002]在光伏系统中，如何增加光电转换效率始终为一重要议题。一种方式为增强光伏系统的光捕获(lighttrppping)效应。光捕获效应为通过在临界角处折射及反射光来将光捕获于半导体材料内。经捕获的光将在半导体材料中进一步传播以大幅增加光吸收机率，而因此增加电荷载子的产生机率。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种薄膜光伏电池。[0004]根据一实施例，提供一种覆板(superstrate)类型的薄膜光伏电池。该薄膜光伏电池依次包含透明基板、共形透明导电氧化层、共形半导体层及共形金属层。微突起安置于该透明基板或该透明导电氧化层的表面上。微突起的高度、宽度及间隔大于入射光波长的十倍且小于该光伏电池的宽度。[0005]根据另一实施例，提供一种薄膜光伏电池。该薄膜光伏电池包含：一透明基板；一透明导电氧化层，其上具有微突起，其中该些微突起的高度、宽度及间隔大于入射光波长的十倍且小于该光伏电池的宽度；共形的一半导体层，其位于该透明导电氧化层上；及共形的一金属层，其位于该半导体层上。[0006]根据又一实施例，提供一种基板(substrate)类型的薄膜光伏电池。该薄膜光伏电池依次包含金属基板、共形半导体层及共形透明导电氧化层。微突起安置于该金属基板的表面上。微突起的高度、宽度及间隔大于入射光波长的十倍且小于该光伏电池的宽度。[0007]本发明提供一种具有恒定的光电转换效率的光伏电池，在光伏电池的表面上，制造大小在微米级的微突起，让入射光产生散射效应及多次反射效应。[0008]上述发明内容旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的理解。此发明内容并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本发明实施例的重要/关键组件或界定本发明的范围。在参阅下文实施方式后