法拉第磁光隔离器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102230994A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102230994A(43)申请公布日2011.11.02(21)申请号201110178917.7(22)申请日2011.06.29(71)申请人武汉电信器件有限公司地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号(72)发明人胡百泉刘成刚高郭鹏(74)专利代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司11228代理人刘付兴(51)Int.Cl.G02B6/42(2006.01)G02F1/09(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称法拉第磁光隔离器(57)摘要本发明涉及的法拉第磁光隔离器，在所述半导体激光器和光纤插针之间设置有法拉第磁光旋转元件，所述法拉第磁光旋转元件绕X轴或者Y轴倾斜设置，所述法拉第磁光旋转元件与X轴或者Y轴的倾斜角度大于8°，所述法拉第磁光旋转元件集成封装于半导体激光器内；利用本技术方案，省去了两个起偏器，并且将法拉第磁光旋转元件绕X轴或者Y轴倾斜设置，杜绝了法拉第磁光旋转元件前端面的反射光进入半导体激光器内，同时利用法拉第磁光旋转元件将反射光的偏振态旋转90°，使得半导体激光器对该反射光不敏感，从而确保了激光器性能的稳定，产品的结构更加简化，大大的减少了各项成本。CN102394ACCNN110223099402230996A权利要求书1/1页1.一种法拉第磁光隔离器，其特征在于，在所述半导体激光器和光纤插针之间设置有法拉第磁光旋转元件。2.根据权利要求1所述的法拉第磁光隔离器，其特征在于，所述法拉第磁光旋转元件绕X轴或者Y轴倾斜设置。3.根据权利要求2所述的法拉第磁光隔离器，其特征在于，所述法拉第磁光旋转元件与X轴或者Y轴的倾斜角度大于8°。4.根据权利要求1所述的法拉第磁光隔离器，其特征在于，所述法拉第磁光旋转元件集成封装于半导体激光器内。2CCNN110223099402230996A说明书1/2页法拉第磁光隔离器技术领域[0001]本发明涉及一种光隔离器，更具体的说是涉及有由法拉第磁光旋转元件组成的法拉第磁光隔离器。背景技术[0002]如图1所示，光纤通信系统中，半导体激光器1对反射光非常敏感，该反射光会造成半导体激光器1性能的不稳定性，因此需要在半导体激光器1的器件内集成有小型化的光隔离设备，在现有技术中，这种小型化的光隔离设备由起偏器3和检偏器6、一个法拉第磁光旋转元件5组成，起偏器3的作用是仅允许与其通光方向平行的偏振光束通过，从而形成线偏振光；起偏器3之后放置法拉第磁光旋转元件5，该元件可以将光束的偏振态向Y轴旋转45°；检偏器6的通光方向与起偏器3的通光方向成45°，这样经过法拉第磁光元件5后的线偏振光可以无损耗的通过检偏器6；对于检偏器6之后的反射光4，经过检偏器6后形成线偏振光，该线偏振光经过法拉第磁光旋转元件5的旋转后，偏振方向向Y轴旋转了45°，这样到达起偏器3的反射光4的偏振方向与起偏器3的通光方向垂直，无法通过该起偏器3，从而达到隔离反射光4的目的。[0003]由此可知，起偏器3的作用是获得线偏振光，以及将垂直于其通光方向的偏振光吸收，法拉第磁光旋转元件5的作用是将反射光4的偏振态旋转至与出射光2偏振态垂直的方向，检查器3的作用是允许出射光2的通过，并限制反射光4偏振方向成特定的角度，即与Y轴成45°。发明内容[0004]有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于，提供一种法拉第磁光隔离器，通过本设计方案，能够较好地减小回反光对激光器工作的影响，成本远低于经典光隔离器，从而弥补了现有技术中存在的不足。[0005]为解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的：一种法拉第磁光隔离器，在所述半导体激光器和光纤插针之间设置有法拉第磁光旋转元件。[0006]所述法拉第磁光旋转元件绕X轴或者Y轴倾斜设置。[0007]所述法拉第磁光旋转元件与X轴或者Y轴的倾斜角度大于8°。[0008]所述法拉第磁光旋转元件集成封装于半导体激光器内。[0009]本发明涉及的法拉第磁光隔离器在工作时，半导体激光器出射的光束入射到法拉第磁光旋转元件的前端面上，为了防止法拉第磁光旋转元件前端面的反射光进入半导体激光器内，将该元件绕X轴或者Y轴倾斜放置，倾斜角度大于8°，通过将半导体激光器出射的线偏振光旋转45°后，再耦合到光纤插针中，对于由光纤插针端面等而引起的反射光，经由法拉第磁光旋转元件旋转45°后，此时反射光的偏振方向旋转了90°，即垂直于半导体激光器出射光束的偏振方向，利用半导体激光器对该偏振态不敏感的特性，从而确保半导体激光器性能的稳定。3CCNN110223099402230996A说明书2/2页[0010]本发明达到的技术效果如下：一种法拉第磁光隔离器，利用本技术方案，省去了两