温度调节装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102378799A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102378799A(43)申请公布日2012.03.14(21)申请号201080015149.7(51)Int.Cl.(22)申请日2010.03.31C09K5/04(2006.01)F25B15/06(2006.01)(30)优先权数据61/1651552009.03.31US(85)PCT申请进入国家阶段日2011.09.30(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0293112010.03.31(87)PCT申请的公布数据WO2010/117831EN2010.10.14(71)申请人纳幕尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人T·富E·R·墨菲D·A·里德M·A·夏尔东M·B·施夫莱特B·R·梅莱因(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人孟慧岚李炳爱权利要求书2页说明书19页附图2页(54)发明名称温度调节装置(57)摘要本发明涉及实施吸收式冷却或加热循环的温度调节装置，其中使用卤化锂吸收剂，通常为溴化锂。CN1023789ACCNN110237879902378809A权利要求书1/2页1.实施吸收式循环的温度调节装置，其中所述装置中的工作流体包含卤化锂和离子化合物的水溶液；其中在所述离子化合物中，阳离子选自锂、钠、钾、铷、铯以及它们的混合物；并且阴离子选自下列组中的成员：(a)由下列组成的组：任选地被烷基或取代的烷基所取代的碳硼烷酸根(1-碳代十二硼烷酸根(1-))；任选被烷基胺、取代的烷基胺、烷基、或取代的烷基所取代的碳硼烷(二碳------代十二硼烷酸根(1-))；[BF4]、[PF6]、[SbF6]、[CF3SO3]、[HCF2CF2SO3]、[CF3HFCCF2SO3]、------[HCClFCF2SO3]、[(CF3SO2)2N]、[(CF3CF2SO2)2N]、[(CF3SO2)3C]、[CF3CO2]、[CF3OCFHCF2SO3]、----[CF3CF2OCFHCF2SO3]、[CF3CFHOCF2CF2SO3]、[CF2HCF2OCF2CF2SO3]、[CF2ICF2OCF2CF2SO3]、---[CF3CF2OCF2CF2SO3]、[(CF2HCF2SO2)2N]、和[(CF3CFHCF2SO2)2N]；(b)由下列组成的组：碳酸根、乙醇酸根、氨基乙酸根(甘氨酸)、抗坏血酸根、苯甲酸根、邻苯二酚根、柠檬酸根、二甲基磷酸根、延胡索酸根、没食子酸根、乙醇酸根、乙醛酸根、亚氨基二乙酸根、异丁酸根、曲酸根(5-羟基-2-羟甲基-4-吡喃酮离子)、乳酸根、乙酰丙酸根、草酸根、三甲基乙酸根、丙酸根、丙酮酸根、水杨酸根、琥珀酰胺酸根、琥珀酸根、巴豆-酸根(CH3CH＝C(CH3)COO)、四氟硼酸根、四氟乙磺酸根、和托酚酸根(2-羟基-2，4，6-环庚三烯-1-酮离子)，(c)由阴离子组成的组，所述阴离子由乙醇酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸或马来酸形成；-----2-(d)由下列组成的组：[CH3CO2]、[HSO4]、[CH3OSO3]、[C2H5OSO3]、[AlCl4]、[CO3]、---2-3-2-1-3-2--[HCO3]、[NO2]、[NO3]、[SO4]、[PO3]、[HPO3]、[H2PO3]、[PO4]、[HPO4]、[H2PO4]、---123412341234[HSO3]、[CuCl2]、SCN；以及BRRRR、和BOROROROR；其中R、R、R、和R各自独立地选自：(xiii)H；(xiv)卤素；(xv)任选被至少一个选自Cl、Br、F、I、OH、NH2和SH的成员取代的-CH3、-C2H5、或C3-C25直链、支链或环状烷烃或烯烃；(xvi)包含一至三个选自O、N、Si和S的杂原子并且任选被至少一个选自Cl、Br、F、I、OH、NH2和SH的基团取代的-CH3、-C2H5、或C3-C25直链、支链或环状烷烃或烯烃；(xvii)C6-C20未取代芳基，或具有一至三个独立选自O、N、Si和S的杂原子的C3-C25未取代杂芳基；和(xvii)C6-C25取代芳基，或具有一至三个独立选自O、N、Si和S的杂原子的C3-C25取代杂芳基；并且其中所述取代芳基或取代杂芳基具有一至三个取代基，所述取代基独立地选自：(1)任选被至少一个选自Cl、Br、F、I、OH、NH2和SH的成员取代的-CH3、-C2H5、或C3-C25直链、支链或环状烷烃或烯烃，(8)OH，(9)NH2，和(10)SH；(vii)-(CH2)nSi(CH2)mCH3、-(CH2)nSi(CH3)3、-(CH2)nOSi(CH3)m，其中n独立地为1-4，并且m独立地为0