硅基电极及其制作工艺.pdf
一吃****海逸
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相关资料
硅基电极及其制作工艺.pdf
本发明揭露一种硅电极的制作工艺,其步骤包括:提供导电基板;于导电基板上形成硅层;以及对硅层的表面执行等离子体改质步骤,其中等离子体改质步骤是将多个原子掺杂于硅层的表面,且于表面形成原子掺杂层。本发明还揭露一种硅电极,包括导电基板、于导电基板上设置表面具有原子掺杂层的硅层、以及设置在原子掺杂层上的有机保护膜层,其中在硅层的表面的原子掺杂层中的原子为氮、磷、硼或者上述任意组合。硅层由硅基材料、黏着剂及助导剂所组成,藉由在硅层表面的原子掺杂层,可以抑制界面反应层的形成,藉此可以提升硅电极的电容量以及循环寿命。
硅基电极制作工艺及其储能装置.pdf
本发明揭露一种储能装置,包括容置有电解液的壳体、硅基电极、正极板及隔离膜,且硅基电极、正极板及隔离膜浸润于电解液内,且隔离膜设置在硅电极及正极板之间。其中,硅基电极包含导电基板、于表面具有原子掺杂层的硅层设置在导电基板上以及有机保护膜层镀覆在具有原子掺杂层的硅层的表面上。利用经过表面改质处理以及镀覆有机保护膜层的硅基电极做为储能装置的负极电极,可以提升库仑转换效率以及降低界面阻抗,藉此增加储存系统的使用寿命。除此之外,原子掺杂层与有机保护膜层的顺序可替换或可为其组合。
一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺.pdf
本发明公开了一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺,电极结构由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成,其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层;所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度,且所述电极结构与相邻凹槽的宽深比不小于2:1。本发明所述的制备工艺,使用真空蒸发、溅射、离子镀膜或PECVD方法产生所述硅基接触层、光反射层和有机接触层,在刻蚀过程采用多套掩膜版和不同浓度的刻蚀剂使得刻蚀后所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度,并且在垂直于衬底的方向上过刻;所述电极宽度不大于20μm;所述
硅基靶板及其生产工艺.pdf
本发明公开了一种硅基靶板的生产工艺,包括如下步骤:步骤一:在硅片抛光面涂抹膜层溶胶后进行干燥、固化和煅烧热处理,在硅片抛光面上形成膜层;步骤二:在硅片抛光面镀疏水层;步骤三:利用激光雕刻在硅片抛光面上雕刻样品点,使硅片露出样片点的底面。本发明还公开了一种硅基靶板,采用如上所述硅基靶板的生产工艺制作得到。通过在硅片抛光面涂抹膜层溶胶,而后进行干燥、固化和煅烧热处理处理,在硅片表面形成具有蜂窝状结构的膜层,而后在硅片表面镀疏水层,即疏水层与膜层结合,使疏水层具有纳米级的平整度,使得电场更均一,测试出来质荷比(
一种硅脂及其制作工艺.pdf
本发明提出了一种硅脂及其制作工艺,涉及化工材料技术领域。该硅脂按质量分数由以下原料制成:二甲基硅油70%‑90%、气相二氧化硅5%‑20%、羟基硅油3%‑10%。以气相二氧化硅稠化二甲基硅油基础油,并以羟基硅油提升硅脂的结构稳定性,并以此降低硅脂的成本,并能够节省乙醇的投加成本以及避免购买和使用乙醇时需要繁杂的手续,以降低生产周期,使用效果更好。另一方面,本申请提供一种硅脂的制作工艺,此工艺方法简单、易操作,适合批量生产的同时,可进一步降低生产成本,使用价值较高。