一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106158737A(43)申请公布日2016.11.23(21)申请号201510161390.5(22)申请日2015.04.08(71)申请人杜寰地址100086北京市海淀区龙岗路69号水木天成3-1202(72)发明人杜寰(51)Int.Cl.H01L21/77(2006.01)G02F1/136(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺(57)摘要本发明涉及一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其包括：硅衬底及集成电路器件制备；PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质；CMP(化学机械抛光)；铝布线步骤；刻通孔；溅射Ti/TiN和钨，反刻钨，形成钨塞；制备镜面反射电极；制备薄盒，灌装液晶；优选地，所述镜面反射电极采用氧化锌来制作。本发明的方法用氧化锌代替铝制备镜面反射电极，提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性。CN106158737ACN106158737A权利要求书1/1页1.一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：——硅衬底及集成电路器件制备；——PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质；——CMP(化学机械抛光)；——铝布线步骤；——刻通孔；——溅射Ti/TiN和钨，反刻钨，形成钨塞；——制备镜面反射电极；——制备薄盒，灌装液晶，所述镜面反射电极采用氧化锌来制作。2.如权利要求1所述的硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其特征在于，还包括键合引出电路管脚以及成品测试的步骤。3.如权利要求1或2所述的硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其特征在于，所述镜面反射电极通过像素表面蒸发形成。4.如权利要求4所述的硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其特征在于，所述制备镜面反射电极的步骤具体为依次进行光刻、蒸氧化锌、剥离氧化锌。5.如权利要求1-5任一项所述的硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其特征在于，其包括以下工艺步骤：(1)硅衬底及集成电路器件制备；(2)PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质一；(3)CMP(化学机械抛光)，保证硅片表面平整度；(4)光刻并刻蚀接触孔；(5)溅射铝并光刻、刻蚀，形成一铝布线；(6)PECVD介质二(7)CMP；(8)刻一次通孔；(9)二铝布线；(10)PEECVD介质三(11)CMP；(12)刻二次通孔。(13)溅射Ti/TiN和钨，反刻钨，形成钨塞；(14)蒸氧化锌；(15)剥离氧化锌，形成氧化锌反射电极；(16)制备薄盒，灌装液晶；(17)键合引出电路管脚；(18)成品测试。2CN106158737A说明书1/3页一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺技术领域[0001]本发明涉及微显示驱动面板制备工艺，更具体地说是一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺。背景技术[0002]硅基液晶是一种液晶显示器(LCD)的新兴技术，是由AuroraSystems融合半导体CMOS集成电路与液晶两项技术的优势，于2000年开发出的一种高分辨率，低价格，反射式新型显示技术。它是一种将LCD直接制于单晶硅片上的新型液晶显示器件。单晶硅片上可将LCD的有源矩阵薄膜晶体管(AMTFT)，外部驱动电路及控制电路等全部制于上面，以此作为LCD的一块基板，与另一块作为公共电极的涂上透明导电层的玻璃基板共同封接成一个薄盒，注入液晶即可制成硅基液晶显示器件。[0003]硅基液晶具有智能化、引线少、体积小、像素开口率高、分辨率高、光利用率高、显示方式多样化、易于实现彩色化、投资少、利于大批量生产等优点。同时又需要特殊的材料、工艺、设计、检测及配套等关键技术，提高了LCoS微显示技术的难度。[0004]硅基液晶为反射型显示器件，外部强光源透过液晶层，照射到镜面反射电极上，经镜面电极反射入人眼，利用液晶层两端电压控制液晶层的透明度来控制反射出液晶层的光线的强度，实现灰度调制功能。由此可见，镜面反射电极对于硅基液晶非常关键。发明内容[0005]本发明的目的包括提供一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺。硅基液晶像素区域镜面反射电极一般采用铝来制备，但是铝暴露在空气中极易氧化，反射率大大降低，并且光刻时为了降低铝膜反光对光刻精度的影响，往往须在铝膜表面再做一层TiN，进一步降低了表面反射率；另一方面，硅基液晶微显示的特点要求硅片表面平整度要高，标准CMOS工艺中铝膜厚度一般在则刻蚀铝所形成的台阶至少也是如果降低铝的厚度，则其工艺与标准CMOS工艺不兼容。本发明旨在解决上述技术问题。[0006]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：[0007]·硅衬底及集成电路器件制备；[0008]·PECVD(等离子增强