VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106972396A(43)申请公布日2017.07.21(21)申请号201710165822.9(22)申请日2017.03.20(71)申请人平高集团有限公司地址467001河南省平顶山市南环东路22号申请人国家电网公司国网山东省电力公司检修公司(72)发明人裴涛金光耀柏长宇郭煜敬李丽娜王志刚叶三排杜丽平(74)专利代理机构郑州睿信知识产权代理有限公司41119代理人陈晓辉(51)Int.Cl.H02B13/025(2006.01)H02G5/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS(57)摘要本发明涉及高压电器领域，特别是涉及到了一种VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS。VFTO抑制装置包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。本发明的VFTO抑制装置通过在磁环外部设置绝缘外壳的方式，杜绝了磁环铁氧体材料掉渣、掉块以及碰损（掉块、断裂等）的问题的出现，从而可实际应用于GIS中，结构简单，无动作部件，从而可简化GIS隔离开关的结构，降低GIS成本。CN106972396ACN106972396A权利要求书1/1页1.VFTO抑制装置，其特征在于，包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。2.根据权利要求1所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述绝缘外壳灌封在磁环外部。3.根据权利要求2所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。4.根据权利要求1-3任一项所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的相互独立的空腔中。5.阻尼母线单元，包括筒体、触座和通过绝缘支撑安装在筒体中的导电杆，其特征在于，所述导电杆上套有至少一个VFTO抑制装置，所述VFTO抑制装置为权利要求1-4任一项所述的VFTO抑制装置。6.根据权利要求5所述的阻尼母线单元，其特征在于，所述VFTO抑制装置的外部设有屏蔽罩。7.根据权利要求6所述的阻尼母线单元，其特征在于，所述导电杆通过接头与相应的触座连接，所述屏蔽罩固定在相应的接头或者触座上。8.母线，包括两个以上依次设置的母线单元，其特征在于，所述母线单元中的至少一个为权利要求5-7中任一项所述的阻尼母线单元。9.GIS，包括隔离开关和母线，所述母线为权利要求8所述的母线。10.根据权利要求9所述的GIS，其特征在于，所述母线的阻尼母线单元靠近隔离开关设置。2CN106972396A说明书1/4页VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS技术领域[0001]本发明涉及高压电器领域，特别是涉及到了一种VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS。背景技术[0002]气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）中，隔离开关开合空载短母线时，会产生特快速瞬态过电压（VFTO），对GIS及其连接的绕组设备绝缘产生影响；同时，会产生瞬态壳体电位升（TEV）及电磁骚扰，对GIS临近二次设备绝缘产生威胁，干扰其正常运行，并威胁工作人员安全。在低压场合，上述不利影响尚不明显，但是随着系统电压等级的提高，VFTO、TEV和电磁骚扰越来越严重，影响也越来越大。[0003]GIS隔离开关通过加装阻尼电阻来抑制VFTO是非常有效的，但阻尼电阻需要和隔离开关主断口并联，使得隔离开关结构复杂，并导致GIS隔离开关在壳体直径和高度方面都比较大，占用大量空间，GIS隔离开关一般都设计为立式，使得成本和造价增大很多，而且也降低了GIS设备布置的灵活性，造成建设用地增加，设备检修不方便。[0004]高频磁环法是解决超/特高压GIS中的VFTO问题的一个非常可行而又经济方法，如果能够实际应用，其将大大降低特高压GIS隔离开关的设计复杂程度，减小其体积，降低成本。但是磁环铁氧体材料脆性高，易断裂、掉渣，在运输、安装、检修及GIS运行过程中，如遇到冲击或振动极易造成高频磁环损伤，降低抑制VFTO的功能效果，同时，铁氧体材料掉渣、掉块扩散到GIS内部可能会引起绝缘隐患，造成设备放电故障，高频磁环直接安装在导电回路中无法实现工程应用。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种VFTO抑制装置，简化GIS隔离开关的结构，降低GIS成本。[0006]同时，本发明的目的还在于提供使用所述VFTO抑制装置的阻尼母线单元、母线及GIS。[0007]为实现上述目的，本发明的VFTO抑制装置采用以下技术方案：VFTO抑制装置，包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。[0008]所述绝缘外壳灌封在磁环外部。[0009]所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。[0010]所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的