电致发光器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107438907A(43)申请公布日2017.12.05(21)申请号201580074603.9(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司1(22)申请日2015.11.201021代理人李新红(30)优先权数据1421133.82014.11.28GB(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L51/54(2006.01)2017.07.26(86)PCT国际申请的申请数据PCT/GB2015/0535572015.11.20(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/083783EN2016.06.02(71)申请人剑桥企业有限公司地址英国剑桥申请人阿卜杜拉阿齐兹国王科技城(72)发明人理查德·弗兰德陈致匡李广如狄大卫尼尔·C·格里纳姆权利要求书7页说明书14页附图8页(54)发明名称电致发光器件(57)摘要宽泛而言，本发明的实施方案提供了固态发光器件和制造固态发光器件的方法。所述方法包括制备嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子的薄层。在实施方案中，所述方法包括将半导体钙钛矿材料或其前体的溶液与具有比半导体钙钛矿材料或其前体宽的带隙的材料的溶液共混，接着从由此形成的混合物中移除溶剂，得到嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子。CN107438907ACN107438907A权利要求书1/7页1.一种用于制备嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层的方法，所述方法包括将半导体钙钛矿材料或其前体的溶液与具有比所述半导体钙钛矿材料或其前体宽的带隙的材料的溶液共混，接着从由此形成的混合物中移除溶剂，得到嵌入在具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子。2.根据权利要求1所述的方法，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料具有大于1.5eV的带隙。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料选自由绝缘材料和半导体材料组成的组。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在移除所述溶剂的步骤之后进行退火步骤。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述溶剂通过旋涂移除。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述半导体钙钛矿纳米粒子是半导体钙钛矿纳米晶体。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中半导体钙钛矿纳米粒子：其中嵌入所述半导体钙钛矿纳米粒子且具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料的重量比是0.01∶1至20∶1。8.根据权利要求7所述的方法，其中半导体钙钛矿纳米粒子：其中嵌入所述半导体钙钛矿纳米粒子且具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的重量比是0.1∶1至10∶1，优选1∶1至5∶1，并且最优选1∶1至2∶1。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中嵌入在具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料的所述基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子的所述薄层的厚度是≤500nm，优选≤100nm。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料是选自绝缘聚合物、绝缘小有机分子和绝缘无机材料中的绝缘材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘材料是绝缘聚合物或绝缘小有机分子。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘聚合物或绝缘小有机分子是极性聚合物或极性小有机分子。13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是半导体。14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是聚酰亚胺。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述聚酰亚胺是具有以下形式的二苯甲酮四羧酸二酐4，4-二氨基二苯醚间苯二胺聚合物(PIP)的聚酰胺酸：16.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是聚苯乙烯。17.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是以下形式的聚(9-乙烯基咔唑)：2CN107438907A权利要求书2/7页18.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是以下形式的小有机化合物4，4-双(N-咔唑基)-1，1-联苯：19.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘材料是氧化铝。20.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中所述半导体钙钛矿是有机金属卤化物钙钛矿材料。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述有机金属卤化物钙钛矿具有AMX3结构，其中A是一价阳离子，M