一种EDID数据改写的方法、装置及存储介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109120973A(43)申请公布日2019.01.01(21)申请号201810885739.3(22)申请日2018.08.06(71)申请人青岛海信电器股份有限公司地址266100山东省青岛市崂山区株洲路151号(72)发明人辛志军郑砚杰华磊金飞(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人黄志华(51)Int.Cl.H04N21/426(2011.01)H04N21/45(2011.01)权利要求书2页说明书15页附图5页(54)发明名称一种EDID数据改写的方法、装置及存储介质(57)摘要本申请实施例涉及通信技术领域，本申请实施例提供一种EDID数据改写的方法、装置及存储介质，本申请实施例中，当终端设备确定显示设备的N个HDMI端口中的一个HDMI端口连接的外接设备支持杜比全景声ATMOS能力，首先可以通过主芯片的第一引脚与N个EDID芯片连接，更新N个EDID芯片中每个EDID芯片的地址，其中，更新后的N个EDID芯片中的任两个EDID芯片的地址不同；可以通过主芯片的第二引脚与N个EDID芯片连接，向N个EDID芯片中增加用于存储ATMOS所支持的音频格式信息的数据块。如此，在确定外接设备支持杜比全景声ATMOS能力时，可以改写EDID数据。CN109120973ACN109120973A权利要求书1/2页1.一种EDID数据改写的方法，其特征在于，所述方法包括：确定显示设备的N个HDMI端口中的一个HDMI端口连接的外接设备支持杜比全景声ATMOS能力，其中，所述N为大于1的整数，所述显示设备的HDMISWITCH模块连接N个EDID芯片，所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片与主芯片通过DDC通道连接，所述N个HDMI端口与所述N个EDID芯片一一对应；通过所述主芯片的第一引脚与所述N个EDID芯片连接，更新所述N个EDID芯片中每个EDID芯片的地址，其中，更新后的所述N个EDID芯片中的任两个EDID芯片的地址不同；通过所述主芯片的第二引脚与N个EDID芯片连接，向N个EDID芯片中增加用于存储所述ATMOS所支持的音频格式信息的数据块。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片与所述第一引脚串联连接；所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片与所述第二引脚通过I2C总线串联连接。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N个EDID芯片与N个隔离电路一一对应，针对所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片，所述EDID芯片对应的隔离电路的第一端与所述EDID芯片连接，所述EDID芯片对应的隔离电路的第二端与所述第二引脚连接，所述EDID芯片对应的隔离电路第三端与所述主芯片的第三引脚连接；所述通过所述主芯片的第二引脚与N个EDID芯片连接，向N个EDID芯片中增加用于存储所述ATMOS所支持的音频格式信息的数据块，包括：通过所述主芯片的第三引脚向所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片对应的隔离电路输入第一预设电平，其中，所述第一预设电平用于导通所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片对应的隔离电路；通过所述主芯片的第二引脚连接的N个隔离电路向所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片增加用于存储所述ATMOS所支持的音频格式信息的数据块。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过所述主芯片的第二引脚与N个EDID芯片连接，向N个EDID芯片中增加用于存储所述ATMOS所支持的音频格式信息的数据块之后，还包括：通过所述第三引脚向所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片对应的隔离电路输入第二预设电平，其中，所述第二预设电平用于断开所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片对应的隔离电路。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片通过所述EDID芯片对应的地址改写电路与所述第一引脚连接；N个地址改写电路中的每个地址改写电路一端与所述第一引脚连接，另一端与所述地址改写电路对应的EDID芯片的预设地址引脚连接；其中，所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片设置一个预设地址引脚，所述N个EDID芯片中任两个EDID芯片的预设地址引脚对应的两个地址不同；所述通过所述主芯片的第一引脚与N个EDID芯片连接，更新所述N个EDID芯片中每个EDID芯片的地址，包括：通过所述主芯片的第一引脚向所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片对应的地址改写电路输入第三预设电平，其中，所述第三预设电平用于使所述N个EDID芯片中的每个EDID芯片的预设地址引脚处于非接地状态。2CN109120973A权利要求书2/2页6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述