一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110335920A(43)申请公布日2019.10.15(21)申请号201910621519.4(22)申请日2019.07.10(71)申请人中威新能源（成都）有限公司地址610000四川省成都市双流西南航空港经济开发区内(72)发明人韩安军刘正新孟凡英卞剑涛谢毅(74)专利代理机构成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙)51250代理人沈成金(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/042(2014.01)H01L31/05(2014.01)权利要求书2页说明书10页附图4页(54)发明名称一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法(57)摘要本发明公开了一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法，包括以下步骤：提供多个子电池，形成绝缘层于所述子电池的侧面，提供一胶膜，将多个所述子电池分别放置于各个所述凹槽中，形成导电胶于所述空隙中。本发明将多个子电池平铺摆放在胶膜凹槽边缘，最后在相邻子电池之间的空隙中形成导电胶，完成相邻子电池正电极与背电极的互连；从而减少电池效率损失，同时杜绝互连过程中导电胶水外溢导致的太阳电池短路；太阳能子电池之间平铺互连，无电池片部分悬空现象，可以减少电池片隐裂风险，增加组件加工成品率，提高组件输出功率；适用于各种太阳能电池，且特别适用于超薄太阳能电池。CN110335920ACN110335920A权利要求书1/2页1.一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供多个子电池，所述子电池的正面设有正电极，所述子电池的背面设有背电极，所述正电极与所述背电极分别邻接所述子电池的相对两侧面，所述子电池的正面正对所述背电极设有第一绝缘台阶，所述子电池的背面正对所述正电极设有第二绝缘台阶；S2：形成绝缘层于所述子电池的侧面；S3：提供一胶膜，所述胶膜中设有多个分立设置的凹槽，所述凹槽包括邻接的第一子凹槽与第二子凹槽，所述第一子凹槽的底面低于所述第二子凹槽的底面，对于相邻两个所述凹槽，其中一个所述凹槽的所述第二子凹槽与另一个所述凹槽的所述第一子凹槽之间具有一支撑平台；S4：将多个所述子电池分别放置于各个所述凹槽中，其中，所述背电极位于所述第一子凹槽中，所述子电池的背面与所述第二子凹槽的底面接触，所述第二绝缘台阶的底面与所述支撑平台接触，相邻所述子电池之间具有空隙；S5：形成导电胶于所述空隙中，各个所述子电池的所述正电极与相邻所述子电池的所述背电极之间通过所述导电胶连接。2.根据权利要求1所述的一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法，其特征在于，所述子电池的制作方法包括以下步骤：形成一具有多个第一绝缘槽与多个第二绝缘槽的层堆叠结构，所述第一绝缘槽自所述层堆叠结构上表面开口，并往下延伸，所述第二绝缘槽自所述层堆叠结构下表面开口，并往上延伸，所述第一绝缘槽的底面高于所述第二绝缘槽的底面，所述第一绝缘槽与所述第二绝缘槽上下一一相对，并错开预设距离，以在所述层堆叠结构中定义出多个所述子电池，对于相邻两个所述子电池，其中一个所述子电池的所述正电极邻接所述第一绝缘槽，另一所述子电池的所述背电极邻接所述第二绝缘槽；以所述第一绝缘槽与所述第二绝缘槽为切割槽对所述层堆叠结构进行切割，得到多个独立的所述子电池，其中，所述第一绝缘槽保留的部分构成所述第一绝缘台阶，所述第二绝缘槽保留的部分构成所述第二绝缘台阶。3.根据权利要求2所述的一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法，其特征在于，形成所述第一绝缘槽与所述第二绝缘槽的方法包括掩模法及刻蚀法中的至少一种；所述第一绝缘槽与所述第二绝缘槽错开距离的范围0.1-1mm；所述切割的方法包括机械金刚石刀切割、激光切割及线切割中的至少一种。4.根据权利要求2所述的一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法，其特征在于，所述层堆叠结构自上而下依次包括正面透明导电薄膜、P型掺杂氢化非晶硅层、正面本征氢化非晶硅层、晶体硅层、背面本征氢化非晶硅层、N型掺杂氢化非晶硅层及背面透明导电薄膜；所述第一绝缘槽至少往下延伸至所述晶体硅层或本征非晶硅正面，所述第二绝缘槽至少往上延伸至所述晶体硅层或本征非晶硅背面。5.根据权利要求1所述的一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法，其特征在于，所述子电池包括N面入射光、P面入射光及N面、P面同时入射光的晶体硅异质结电池中的至少一种。6.根据权利要求1所述的一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材质包括氧化硅、非晶硅及氮化硅中的至少一种；所述绝缘层的厚度2CN110335920A权利要求书2/2页范围是0.01-10μm。7.根据权利要求1所述的一种可降低电池