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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115265032A(43)申请公布日2022.11.01(21)申请号202211205151.1(22)申请日2022.09.30(71)申请人北京中科富海低温科技有限公司地址100086北京市海淀区知春路甲63号卫星大厦1407(72)发明人候天杰王青青杨召孔巍崔丽丽韩文雅(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师余菲(51)Int.Cl.F25D3/10(2006.01)G01R33/12(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称一种低温传热冷屏及垂直测试杜瓦(57)摘要本发明提供一种低温传热冷屏及垂直测试杜瓦,低温传热冷屏的结构包括热沉过渡环,套设在所述内腔筒体的外表面,所述热沉过渡环的内表面与所述内腔筒体的外表面之间设置有铟材质填充物;热沉,套设在所述热沉过渡环的下部,与所述热沉过渡环相连接;以及加强件,与所述内腔筒体的外表面相连接,所述加强件设置在所述热沉的下方,与所述热沉相连接。该低温传热冷屏及垂直测试杜瓦能够解决现有的热沉过渡环与内腔筒体的连接方式接触率低且无法对冷屏起到足够的支撑的问题。CN115265032ACN115265032A权利要求书1/1页1.一种低温传热冷屏,用于安装于垂直测试杜瓦的内腔筒体,其特征在于,所述低温传热冷屏包括:热沉过渡环,套设在所述内腔筒体的外表面,所述热沉过渡环的内表面与所述内腔筒体的外表面之间设置有铟材质填充物;热沉,套设在所述热沉过渡环的下部,与所述热沉过渡环相连接;以及加强件,与所述内腔筒体的外表面相连接,所述加强件设置在所述热沉的下方,与所述热沉相连接。2.根据权利要求1所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述热沉过渡环的内表面开设有环状凹槽,所述铟材质填充物为铟丝,所述铟丝嵌设在所述环状凹槽内,所述铟丝的直径大于所述环状凹槽的深度。3.根据权利要求2所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述环状凹槽的数量为多个,各所述环状凹槽内均设置有铟丝,各所述环状凹槽沿所述热沉过渡环的轴向均匀排布。4.根据权利要求3所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述环状凹槽的横截面为方形。5.根据权利要求3所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述环状凹槽的横截面为梯形。6.根据权利要求1所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述热沉过渡环的下部形成有阶梯面,所述阶梯面的宽度与所述热沉的厚度相等,所述热沉套设于所述阶梯面。7.根据权利要求1所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述加强件的形状为环形,所述加强件套设于所述内腔筒体。8.根据权利要求7所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述加强件沿圆周方向开设有多个螺栓孔,所述热沉开设有与所述螺栓孔的位置相对应的配合孔,所述加强件与所述热沉通过螺栓连接。9.根据权利要求1至8中任一项所述的低温传热冷屏,其特征在于,所述加强件与所述内腔筒体的材质相同,所述加强件与所述内腔筒体彼此焊接。10.一种垂直测试杜瓦,其特征在于,所述垂直测试杜瓦包括内腔筒体以及权利要求1至9中任一项所述的低温传热冷屏,所述低温传热冷屏安装于所述内腔筒体。2CN115265032A说明书1/6页一种低温传热冷屏及垂直测试杜瓦技术领域[0001]本申请涉及低温超导试验技术领域,尤其是涉及一种低温传热冷屏及垂直测试杜瓦。背景技术[0002]低温传热冷屏是低温超导用4.5K氦流体介质特性维持的关键设备,其用于作为不同温区分界的过渡区域。[0003]因材质特性的限制,目前内腔筒体均为采用304无磁不锈钢卷圆并焊接加工制作而成,热沉过渡环则为铜材料卷圆外加焊接加工制作而成,卷制好的热沉过渡环再通过焊接与卷制好的内腔筒体连接。但这种制造工艺存在以下缺点:内腔筒体与热沉过渡环选用的材质不同,使得其二者只能采用银钎焊的焊接方式连接,此焊接缺点是焊接区域的强度低,无法保证对冷屏起到足够的支撑;另外加工制造过程中存在可允许接受的形状公差,使得内腔筒体与热沉过渡环在卷圆后,不能保证内腔筒体的外表面与热沉过渡环的内表面之间有足够的面接触率要求。发明内容[0004]有鉴于此,本申请的目的在于提供一种低温传热冷屏及垂直测试杜瓦,用以解决现有的热沉过渡环与内腔筒体的连接方式接触率低且无法对冷屏起到足够的支撑的问题。[0005]根据本发明的第一方面提供一种低温传热冷屏,其中,所述一种低温传热冷屏包括:热沉过渡环,套设在所述内腔筒体的外表面,所述热沉过渡环的内表面与所述内腔筒体的外表面之间设置有铟材质填充物;热沉,套设在所述热沉过渡环的下部,与所述热沉过渡环相连接;以及加强件,与所述内腔筒体的外表面相连接,所述加强件设置在所述热沉的下方,与所述热沉相连接。[0006]优选地,所述热沉过渡环的内表面开设有环状凹槽,