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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103890536103890536A(43)申请公布日2014.06.25(21)申请号201280051368.X(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公(22)申请日2012.10.17司31100代理人顾嘉运(30)优先权数据11595132011.10.20FR(51)Int.Cl.G01B7/06(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.04.18(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2012/0705992012.10.17(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/057157FR2013.04.25(71)申请人梅西耶-布加蒂-道提公司地址法国韦利济-维拉库布莱申请人埃赛公司(72)发明人L·盖伊N·加里古F·莫纳里-穆林权权利要求书2页利要求书2页说明书10页说明书10页附图3页附图3页(54)发明名称用于通过感应磁场来测量涂覆层的厚度的方法(57)摘要本发明涉及一种用于测量部件(P)的涂覆层(Rev)的厚度的方法,所述涂覆层形成于所述部件的衬底(Sub)上。该方法包括:使用AC电信号(S)向感应装置(Mind)提供动力以便在所述部件(P)中感生磁场;测量至少一个物理特性(Zn),所述特性基于在所述部件(P)中感生的磁场(B)而改变;确定指示符的第一和第二值,这些值是从当所述电信号具有第一和第二给定频率时所产生的所述物理特性的测量中分别确定的,并且随后计算在所述指示符的第一和第二值之间的差值,并根据所述差值和预定数据确定所述涂覆层的厚度,所述预定数据将所述指示符的值之间的差值与所述涂覆层的厚度的对应值相关起来。CN103890536ACN1038956ACN103890536A权利要求书1/2页1.一种测量工件(P)的涂覆层(Rev)的厚度的方法,所述涂覆层(Rev)形成在所述工件(P)的衬底(Sub)上,所述涂层(Rev)和所述衬底(Sub)分别由彼此不同的第一和第二导电材料构成,所述方法包括:相对于所述涂覆层(Rev)定位感应装置(Mind)并且向所述感应装置(Mind)馈送探针交变电信号(S)以感应在所述工件(P)中取决于所述探针电信号(S)的磁场(B);测量作为在所述工件(P)中所感应的磁场(B)的函数而变化的至少一个物理特性(Zn);确定指示符的第一和第二值(σ1,σ2),该指示符(σn)至少取决于所述第一材料的导电性(σRev)和所述探针信号(S)的频率(Fn),所述第一指示符值(σ1)是从当所述电信号(S)具有第一给定频率(F1)时执行的所述至少一个物理特性(Z1)的测量中确定的,而所述第二指示符值(σ2)是从当所述电信号(S)具有与所述第一频率(F1)不同的第二给定频率(F2)时执行的所述至少一个物理特性(Z2)的测量中确定的;并且随后计算在所述指示符的所述第一和第二值(σ1,σ2)之间的差值并确定作为该差值和预定的数据的函数的所述涂覆层的厚度(er),所述预定的数据相关于:所述指示符值(σ1,σ2)之间的差值;以及所述涂覆层(Rev)的厚度的对应的值。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,至少取决于所述第一材料(Rev)的导电性(σRev)和所述探针信号(S)的频率(Fn)的所述指示符(σn)是所述工件(P)上所述磁场(Bn)所贯穿的部分的导电性(σn)。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,为了获得所述预定数据,执行下述步骤:使用一系列的校准测试片(A、B、C、D、E、F、G、H、I),每个包括由所述第二材料制成的衬底(Sub)和由所述第一材料制成的层(Rev),每个校准测试片具有已知的涂覆层厚度;对于每个校准测试片,执行至少一系列测量,包括相对于所述校准测试片的所述层定位磁场感应装置(Mind),并估计第一和第二校准值,所述校准值是由所述指示符所表示的值,第一校准值是从当所述感应装置(Mind)被馈送了频率等于第一频率(F1)的第一校准信号(Seta)时所执行的所述至少一个物理特性(Zeta1)的至少一个测量中确定的,而第二校准值是从当所述感应装置(Mind)被馈送了频率等于第二频率(F2)的第二校准信号(Seta)时所执行的所述至少一个物理特性(Zeta2)的至少一个测量中确定的;以及对于每个校准测试片,记录将所述其涂覆层(Rev)的已知的厚度(δlim)与所述第一和第二频率(F1和F2)以及所述第一和第二校准值相关的数据。4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一和第二校准值是被作为在所述校准测试片上执行的阻抗(Zeta)的测量的函数来计算出的各个导电性值。5.如前述任一权利要求所述的方法,其特征在于,选择所述第一和第二频率(F1和F2),