增强金属基体及其制备方法和金属复合体及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112339365A(43)申请公布日2021.02.09(21)申请号202011283588.8B32B37/06(2006.01)(22)申请日2020.11.17B32B37/10(2006.01)B05D7/14(2006.01)(71)申请人广东省科学院材料与加工研究所B05D7/24(2006.01)地址510000广东省广州市天河区长兴路B21B1/38(2006.01)363号B21B47/00(2006.01)申请人梅州市粤科新材料与绿色制造研究院(72)发明人林颖菲冯晓伟路建宁王娟(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人覃蛟(51)Int.Cl.B32B15/01(2006.01)B32B7/12(2006.01)B32B37/12(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图1页(54)发明名称增强金属基体及其制备方法和金属复合体及其制备方法(57)摘要本发明涉及复合材料技术领域，具体而言，涉及增强金属基体及其制备方法和金属复合体及其制备方法。本发明提供一种增强金属基体的制备方法，包括：将碳化硅增强体与硅溶胶混合形成SiC浆料，而后将所述SiC浆料附着于金属本体的表面。该增强金属基体的制备方法操作简单，使得后续形成的金属复合体的层间界面结合高，不易脱落，屈服强度、抗拉强度等性能优异。CN112339365ACN112339365A权利要求书1/2页1.一种增强金属基体的制备方法，其特征在于，包括：将碳化硅增强体与硅溶胶混合形成SiC浆料，而后将所述SiC浆料附着于金属本体的表面。2.根据权利要求1所述的增强金属基体的制备方法，其特征在于，形成所述SiC浆料包括：将所述碳化硅增强体与所述硅溶胶混合搅拌和超声；优选地，超声的功率为200-400W，超声的时间为10-30min，搅拌的转速为200-700r/min，搅拌时间为2-4h；优选地，所述碳化硅和所述硅溶胶的质量比为1:1-4；优选地，所述硅溶胶为二氧化硅的固含量为20-40％的硅溶胶。3.根据权利要求1所述的增强金属基体的制备方法，其特征在于，形成所述SiC浆料之前，对所述碳化硅增强体进行除杂；优选地，所述除杂的步骤包括：将所述碳化硅增强体与酸溶液混合进行反应，而后过滤，接着对过滤得到的滤饼进行冲洗和干燥；优选地，所述碳化硅增强体的形态为颗粒、晶须和纳米线中的至少一种；优选地，所述颗粒的平均粒径为0.3-10微米，所述晶须的直径为0.1-1微米，长度为20-50微米，所述纳米线的直径为0.05-0.5微米，长度为50-100微米；优选地，所述碳化硅增强体选自3C、2H、4H和6H中的至少一种。4.根据权利要求1-3任一项所述的增强金属基体的制备方法，其特征在于，所述金属本体为铝金属本体，优选为铝金属箔材，优选为纯铝箔材或铝合金箔材；优选地，所述金属本体的厚度为0.05-2毫米。5.根据权利要求1-3任一项所述的增强金属基体的制备方法，其特征在于，在所述SiC浆料附着于金属本体之前对所述金属本体进行预处理；优选地，预处理的步骤包括：依次进行除油、除氧化膜和表面粗造化处理；优选地，除油的步骤包括：将所述金属本体浸泡于有机溶剂中超声，而后干燥；优选地，超声的功率为200-400W，超声的时间为10-30min；优选地，除氧化膜的步骤包括：将除油后的所述金属本体与碱溶液混合浸泡，而后干燥；优选地，与所述碱溶液混合的时间为2-10分钟，温度为50-60℃，碱溶液的质量浓度为8-10％；优选地，表面粗造化处理的步骤包括：对除氧化膜后的所述金属本体进行打磨。6.根据权利要求1-3任一项所述的增强金属基体的制备方法，其特征在于，所述SiC浆料附着于金属本体的表面的方法包括：喷涂、滚和刷中的任意一种；优选地，所述SiC浆料附着于金属本体采用的方法为空气喷涂；优选地，空气喷涂压力为0.2-0.8MPa、喷涂距离为100-400毫米，喷涂次数为2-10次。7.一种增强金属基体，其特征在于，其通过权利要求1-6任一项所述的增强金属基体的制备方法得到，优选地，所述增强金属基体的厚度为0.06-2.1毫米；优选地，SiC浆料形成的连接层的厚度为10-100微米。8.一种金属复合体，其特征在于，其包括至少2个权利要求7所述的增强金属基体，每个所述增强金属基体依次连接，且SiC浆料形成的连接层与金属本体间隔设置；2CN112339365A权利要求书2/2页优选地，金属复合体中SiC的含量为2-10％。9.一种金属复合体的制备方法，其特征在于，包括：将增强金属基体依次层叠设置形成复合坯体，而后热轧；其中，所述复合坯体中SiC浆料形成的连接层与金属本体间隔设置。10.根