一种超宽带新型平面魔T.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107069172A(43)申请公布日2017.08.18(21)申请号201710424234.2(22)申请日2017.06.07(71)申请人孙超地址210000江苏省南京市秦淮区永丰大道八号三号楼A401(72)发明人戴永胜杨茂雅陈相治孙超(74)专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231代理人王玉平(51)Int.Cl.H01P5/20(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称一种超宽带新型平面魔T(57)摘要本发明公开了一种超宽带新型平面魔T，属于微波技术领域，包括输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)、第四金属层(4)、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和第五连接通孔V5，解决了传统平面魔T无法完成超宽带特性的问题，本发明采用特殊结构的超宽带90度移相器与3节级联3dB90度混合电桥相结合的组合形式，且采用低损耗低温共烧陶瓷材料和三维立体集成技术，附带巧妙的紧凑结构。CN107069172ACN107069172A权利要求书1/2页1.一种超宽带新型平面魔T，其特征在于：包括输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)、第四金属层(4)、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和第五连接通孔V5；第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)和第四金属层(4)为从下至上依次设置；第一金属层(1)的前面从左至右依次间隔设有输出端口P3、接地端口P6和输出端口P2，第一金属层(1)的后边从左至右依次间隔设有输入端口P1、接地端口P5和输入端口P4；第一金属层(1)上设有接地屏蔽层GND；第二金属层(2)上设有传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、传输线L5、传输线L6、耦合线CL1、耦合线CL2、加载开路枝节T1和加载开路枝节T2；第三金属层(3)上设有耦合线CL3、耦合线CL6、耦合线CL7、开路加载枝节T3、开路加载枝节T6；第四金属层(4)上设有耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL8、开路加载枝节T4和开路加载枝节T5；加载开路枝节T1设于加载开路枝节T2的后边，开路加载枝节T3设于开路加载枝节T4的后边，开路加载枝节T5设于开路加载枝节T6的后边，加载开路枝节T2间隔设于开路加载枝节T3的后边，开路加载枝节T5间隔设于开路加载枝节T3的右边；传输线L1的一端与输入端口P1连接，另一端与耦合线CL1连接，耦合线CL1的一端与传输线L1连接，另一端与传输线L2连接，耦合线CL2的一端与传输线L2连接，另一端与传输线L3连接，传输线L2通过连接通孔V1与接地屏蔽层GND连接，耦合线CL1和耦合线CL2分别连接加载开路枝节T1和加载开路枝节T2，加载开路枝节T1和加载开路枝节T2均与传输线L2连接，传输线L3的一端与耦合线CL2连接，另一端通过连接通孔V2与传输线CL3连接，传输线L5的一端通过连接通孔V3与耦合线CL4连接，另一端与输出端口P3连接，传输线L4的一端与输入端口P4连接，另一端通过连接通孔V4与耦合线CL5连接，传输线L6的一端通过连接通孔V5与耦合线CL6连接，另一端与输出端口P2连接，耦合线CL3的一端与连接通孔V2连接，另一端与耦合线CL7连接，耦合线CL3与耦合线CL7的连接处连接有开路加载枝节T3，耦合线CL7与耦合线CL6的连接处连接有开路加载枝节T6，耦合线CL6的一端与耦合线CL7连接，另一端与连接通孔V5连接，耦合线CL4的一端与连接通孔V3连接，另一端与耦合线CL8连接，耦合线CL4与耦合线CL8的连接处连接有开路加载枝节T4，耦合线CL8与耦合线CL5的连接处连接有开路加载枝节T5，耦合线CL5的一端与耦合线CL8连接，另一端与连接通孔V4连接，接地端口P5和接地端口P6均与接地屏蔽层GND连接。2.如权利要求1所述的一种超宽带新型平面魔T，其特征在于：输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5和接地端口P6均为50欧姆特征阻抗的端口；所述的传输线L1、传输线L3、传输线L4、传输线L5和传输线L6的特性阻抗均为50欧姆。3.如权利要求1所述的一种超宽带新型平面魔T，其特征在于：所述耦合线CL1和所述耦合线CL2之间为侧边耦合结构，所述耦合线CL3和所述耦合线CL4之间为侧边错位耦合结构，耦合线CL5和耦合线CL6之间为侧边错位耦合结构，耦合线CL7和耦合线CL8之间为宽边耦合结构。4.如权利要求1