一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109076910A(43)申请公布日2018.12.25(21)申请号201810984573.0C05G3/00(2006.01)(22)申请日2018.08.28(71)申请人云南宝成魔芋科技开发有限公司地址655800云南省曲靖市罗平县腊山街道万达路60号(72)发明人敖宝成申恩情(74)专利代理机构曲靖科岚专利代理事务所(特殊普通合伙)53202代理人戎加富(51)Int.Cl.A01G22/25(2018.01)A01G13/02(2006.01)A01C21/00(2006.01)A01B79/02(2006.01)C05G1/00(2006.01)权利要求书2页说明书7页(54)发明名称一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法(57)摘要本发明公开了一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法,包括以下步骤:①对选择好的栽培地进行深翻、施基肥和开沟理墒，墒的宽度为1.2～1.3m，墒的高度为25～35cm，墒沟的宽度为30～40cm；②在墒面上覆盖地膜；③在地膜上按株距20～30cm、行距30～40cm的密度播种；④在魔芋齐苗后追施提苗肥1次，生长旺盛期追施生长肥2～3次；⑤揭膜：在立秋前后，应及时将覆盖在墒面上的地膜揭除；⑥采收。本发明不仅保温保湿效果好、防病害、防草害效果好，而且养分的配比合理，能够实现魔芋生长期养分需求和肥料养分供给的基本吻合，使得亩产量和优等品率得到了大幅的提高，与传统的种植技术相比，其亩产量提高了30%左右。CN109076910ACN109076910A权利要求书1/2页1.一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:①选地整地:选择透气性好、土层深厚肥沃、疏松、有机质含量丰富的沙壤土作为栽培地，在11～12月份，先将栽培地进行深翻20～30cm，深翻后充分暴晒，暴晒40～60天后在每亩栽培地内施入农家肥1000～2000kg、复合肥40～80kg和钾肥25～50kg作为基肥，施肥后再将栽培地进行深翻，使基肥与土壤充分混合后再整细耙平，然后对栽培地进行开沟理墒，墒的宽度为1.2～1.3m，墒的高度为25～35cm，墒沟的宽度为30～40cm,开沟理墒后控制栽培地内的土壤含水率在40～60%；②盖膜：播种前，在墒面上覆盖地膜，地膜的幅宽为1m，盖膜时，先将地膜铺盖在墒面上，铺膜时地膜的两个侧边不完全覆盖墒面，让地膜的侧边距离墒沟底部的高度为15～18cm，地膜铺好后，再将地膜的两侧边缘用土压实；③播种：选用魔芋种在次年的2月上旬到3月上旬进行播种，播种时，先在地膜上按株距20～30cm、行距30～40cm的密度打种植孔，种植孔的深度为10～12cm,种植孔的直径为魔芋种直径的2～3倍，打种植孔的同时将消毒催芽后的魔芋种放入种植孔中，再用细土将魔芋种和地膜上的种植孔盖严，盖实；④田间管理：在魔芋的出苗期和生长期，应加强清除杂草和病虫害防治，且在魔芋齐苗后追施提苗肥1次，生长旺盛期追施生长肥2～3次，生长肥每隔10～15天追施1次；⑤揭膜：在立秋前后，应及时将覆盖在墒面上的地膜揭除；⑥采收：在魔芋植株叶片枯萎、茎秆倒伏一星期后，选择晴好天气采挖。2.根据权利要求1所述的一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法，其特征在于：播种后，在魔芋的行间种植玉米对其进行遮阴。3.根据权利要求1所述的一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法，其特征在于：在步骤①中，在施基肥的同时，每亩栽培地块内需撒入生石灰50～80kg或者50%多菌灵可适性粉剂5～6kg进行消毒杀菌。4.根据权利要求1所述的一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法，其特征在于：在步骤④中，所述提苗肥是将以下重量份的原料：腐殖质30～40份、草木灰20～30份、粉煤灰5～8份和沸石粉1～3份按比例混合均匀后制得；所述腐殖质是将以下质量份的原料：秸秆粉末30～50份、落叶20～30份、动物粪便10～15份、EM菌液0.05～0.1份按比例混匀后堆垛发酵，堆垛腐熟期间调含水量50～60%，温度50～60℃，每隔15天进行1次翻堆，达到腐熟状态后即为腐殖质；在追施提苗肥时，先将提苗肥放在幼苗根部的周围，再在提苗肥上盖上一层细土，每亩追施提苗肥40～60kg。5.根据权利要求1所述的一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法，其特征在于：在步骤④中，所述生长肥包括以下重量份的原料：硝酸钙10～20份、硝酸钾10～20份、磷酸二氢钾10～20份、硫酸镁3～5份、硫酸亚铁1～2份、硫酸铜0.2～0.5份、硫酸锌0.01～0.02份、硼酸0.01～0.02份、多效唑0.1～0.2份、矮壮素0.005～0.01份、维生素C1～2份、维生素E1～2份和多菌灵2～3份；追施生长肥时，先将上述原料按照比例混匀后，再将混合物与水按质量