一种苔藓结皮培育方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109220674A(43)申请公布日2019.01.18(21)申请号201710373225.5(22)申请日2017.05.24(71)申请人贵州春禄农业有限公司地址558200贵州省黔南布依族苗族自治州独山县贵州独山经济开发区创业园(72)发明人潘文春(74)专利代理机构北京联创佳为专利事务所(普通合伙)11362代理人张梅(51)Int.Cl.A01G22/30(2018.01)A01G24/28(2018.01)A01G24/10(2018.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种苔藓结皮培育方法(57)摘要本发明公开了一种苔藓结皮培育方法。按下述步骤进行：a、选择半阴半阳坡地建设藓圃；b、植藓前，在藓圃中放置经过精整的细土壤，之后在土壤上铺设一层5cm厚的腐质黑土，铺设后，再铺设一层1-2cm的稀黄泥；c、将野外采集的苔藓植层摊薄至1-2cm，之后切分成16cm*16cm的切块，贴覆在稀泥上；d、向切块喷洒水，保持适度在80%-85%；e、向切块喷洒激素；f、白天保持培养温度在20-25℃，夜间保持培养温度在12-14℃；g、使用光照强度为1800Lux的照射10小时/天，持续照射8-12周，苔藓连片生长。本发明生长周期短，生长速度快。CN109220674ACN109220674A权利要求书1/1页1.一种苔藓结皮培育方法，其特征在于，按下述步骤进行：a、选择半阴半阳坡地建设藓圃；b、植藓前，在藓圃中放置经过精整的细土壤，之后在土壤上铺设一层5cm厚的腐质黑土，铺设后，再铺设一层1-2cm的稀黄泥；c、将野外采集的苔藓植层摊薄至1-2cm，之后切分成16cm*16cm的切块，贴覆在稀泥上；d、向切块喷洒水，保持适度在80%-85%；e、向切块喷洒激素；f、白天保持培养温度在20-25℃，夜间保持培养温度在12-14℃；g、使用光照强度为1800Lux的照射10小时/天，持续照射8-12周，苔藓连片生长。2.根据权利要求1所述的苔藓结皮培育方法，其特征在于，所述的步骤d中，喷洒对的激素为赤霉素、细胞分裂素或植物生长素中的一种或几种。3.根据权利要求2所述的苔藓结皮培育方法，其特征在于，所述的赤霉素为0.02-0.025g/L。4.根据权利要求3所述的苔藓结皮培育方法，其特征在于，所述的细胞分裂素为0.015-0.02g/L。5.根据权利要求4所述的苔藓结皮培育方法，其特征在于，所述的植物生长素为0.015-0.025g/L。6.根据权利要求1或2所述的苔藓结皮培育方法，其特征在于，所述的步骤f中，白天保持培养温度在22℃，夜间保持培养温度在13℃。2CN109220674A说明书1/2页一种苔藓结皮培育方法技术领域[0001]本发明涉及苔藓种植领域，特别是一种苔藓结皮培育方法。背景技术[0002]苔藓植物是一种小型的绿色植物，结构简单，仅包含茎和叶两部分，有时只有扁平的叶状体，没有真正的根苔藓和维管束。苔藓植物喜欢有一定阳光及潮湿的环境，一般生长在裸露的石壁上，或潮湿的森林和沼泽地。通常，苔藓类主要作为园艺材料人工地在自然环境下栽培。这是由于对于苔藓类的需求规模相对较小，在自然环境下的栽培可以足够满足需求。现有技术由于生长缓慢，要花费4～6月的时间才能连片（即结皮）生长。发明内容[0003]本发明的目的，是提供一种苔藓结皮培育方法，本发明生长周期短，生长速度快。[0004]本发明是这样实现的。[0005]一种苔藓结皮培育方法，按下述步骤进行：a、选择半阴半阳坡地建设藓圃；b、植藓前，在藓圃中放置经过精整的细土壤，之后在土壤上铺设一层5cm厚的腐质黑土，铺设后，再铺设一层1-2cm的稀黄泥；c、将野外采集的苔藓植层摊薄至1-2cm，之后切分成16cm*16cm的切块，贴覆在稀泥上；d、向切块喷洒水，保持适度在80%-85%；e、向切块喷洒激素；f、白天保持培养温度在20-25℃，夜间保持培养温度在12-14℃；g、使用光照强度为1800Lux的照射10小时/天，持续照射8-12周，苔藓连片生长。[0006]前述的苔藓结皮培育方法所述的步骤d中，喷洒对的激素为赤霉素、细胞分裂素或植物生长素中的一种或几种。[0007]前述的苔藓结皮培育方法中，所述的赤霉素为0.02-0.025g/L。[0008]前述的苔藓结皮培育方法中，所述的细胞分裂素为0.015-0.02g/L。[0009]前述的苔藓结皮培育方法中，所述的植物生长素为0.015-0.025g/L。[0010]前述的苔藓结皮培育方法所述的步骤f中，白天保持培养温度在22℃，夜间保持培养温度在13℃。[0011]与现有技术相比，本发明在半阴半阳坡地建设藓圃，能够有效增加通风效果；本