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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102720569A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102720569A(43)申请公布日2012.10.10(21)申请号201210090452.4(51)Int.Cl.(22)申请日2012.03.19F01N3/28(2006.01)B01J27/224(2006.01)(30)优先权数据B01J35/04(2006.01)2011-0699382011.03.28JP2012-0530902012.03.09JP(71)申请人日本碍子株式会社地址日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号(72)发明人古川昌宏近士真理子松田和幸(74)专利代理机构上海市华诚律师事务所31210代理人徐申民李晓权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书1616页页附图附图55页(54)发明名称蜂窝结构体、Si-SiC系复合材料、蜂窝结构体的制造方法及Si-SiC系复合材料的制造方法(57)摘要本发明的课题是更容易地形成电极部的同时,进一步降低体积电阻率。提供蜂窝结构体20,具备形成有作为流体流路的多个巢室23的隔壁部22。该蜂窝结构体20具备:电极部32,它形成于部分隔壁部22,具有SiC相、含Si氧化物、Al氧化物和碱土类金属氧化物的氧化物相,以及含有金属Si和金属Al且相对于金属Si和该金属Al的总量的金属Al的比例在0.001mol%以上20mol%以下的金属相;和发热部34,它是隔壁部22的一部分,体积电阻率高于电极部32。该蜂窝结构体,是在具有SiC相和含Si氧化物的氧化物相的蜂窝基材的部分表面上,形成含有金属Si和金属Al的浸渍基材和碱土类金属的化合物,在惰性气氛下加热,令金属Si及金属Al浸渍于蜂窝基材的气孔内而得到的。CN1027569ACN102720569A权利要求书1/2页1.一种蜂窝结构体,是具有形成作为流体流路的多个巢室的隔壁部的蜂窝结构体,具备:电极部,其形成于所述隔壁部的一部分,具有SiC相、氧化物相以及金属相,所述氧化物相包括Si氧化物、Al氧化物和碱土类金属氧化物,所述金属相包括金属Si和金属Al且相对于该金属Si和该金属Al的总量的金属Al的比例在0.001mol%以上20mol%以下;和发热部,其形成于所述隔壁部的剩余部分,体积电阻率高于所述电极部。2.根据权利要求1所述的蜂窝结构体,其中,所述电极部形成于所述蜂窝结构体的一侧端部和与该端部相对的另一侧端部。3.根据权利要求1或2所述的蜂窝结构体,其中,所述电极部形成于所述蜂窝结构体的上游侧的端部和下游侧的端部。4.根据权利要求1~3任意一项所述的蜂窝结构体,其中,所述电极部与所述发热部邻接,朝向该发热部,所述金属相越来越少。5.根据权利要求1~4任意一项所述的蜂窝结构体,其中,所述电极部的体积电阻率在所述发热部的体积电阻率的1/2以下。6.根据权利要求1~6任意一项所述的蜂窝结构体,其中,所述电极部的杨氏模量在所述发热部的杨氏模量的1.4倍以下。7.一种蜂窝结构体的制造方法,包括:在具有形成作为流体流路的多个巢室的隔壁部、具有SiC相和含Si氧化物的氧化物相的蜂窝基材的部分表面,形成含有金属Si和金属Al的浸渍基材和碱土类金属化合物的形成工序、和将形成有所述浸渍基材和碱土类金属化合物的蜂窝基材在惰性气氛下加热,令所述形成的浸渍基材所含的金属Si和金属Al浸渍于所述蜂窝基材的气孔内的浸渍工序。8.根据权利要求10所述的蜂窝结构体的制造方法,其中,所述浸渍基材,相对于所述金属Si和所述金属Al的总量,金属Al的比例在0.001mol%以上20mol%以下。9.根据权利要求10或11所述的蜂窝结构体的制造方法,其中,所述蜂窝基材为烧结体。10.根据权利要求10~12任意一项所述的蜂窝结构体的制造方法,其中,所述浸渍工序中,将形成有所述浸渍基材和所述碱土类金属化合物的蜂窝基材在1000℃以上1500℃以下的温度下加热。11.根据权利要求10~13任意一项所述的蜂窝结构体的制造方法,其中,所述形成工序中,在所述蜂窝基材的一侧端部的表面和与该端部相对的另一侧端部的表面,形成所述浸渍基材和碱土类金属化合物。12.根据权利要求10~14任意一项所述的蜂窝结构体的制造方法,其中,所述形成工序中,在所述蜂窝基材的上游一侧的端部表面和下游一侧的端部表面,形成所述浸渍材料和碱土类金属化合物。13.根据权利要求10~15任意一项所述的蜂窝结构体的制造方法,其中,所述形成工序中,混合形成所述浸渍基材和所述碱土类金属化合物。14.根据权利要求10~15任意一项所述的蜂窝结构体的制造方法,其中,所述形成工序中,形成所述碱土类金属化合物后形成所述浸渍基材。2CN102720569A权利要求书2/2页15.根据权利要求10~17任意一