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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106796871A(43)申请公布日2017.05.31(21)申请号201580046101.5戴维·K·卡尔森埃罗尔安东尼奥C桑切斯(22)申请日2015.08.10···叶祉渊萨瑟施·库珀奥(30)优先权数据(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理62/047,4172014.09.08US有限公司162/128,7312015.03.05US1006代理人徐金国赵静(85)PCT国际申请进入国家阶段日2017.02.27(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2015/0444842015.08.10(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/039909EN2016.03.17(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人保罗·布里尔哈特常安忠埃德里克·唐劳建邦权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称蜂巢式多区域气体分配板(57)摘要本文提供的实施方式一般地涉及在半导体处理腔室中用于气体递送的装置。该装置可以是气体分配板,该气体分配板具有形成于该气体分配板中的多个通孔与多个盲孔。提供工艺气体穿过该气体分配板的这些通孔至半导体处理腔室的处理空间中。这些盲孔用于使用相变化材料控制气体分配板的温度。CN106796871ACN106796871A权利要求书1/1页1.一种气体分配板,包括:第一表面;以及第二表面,其中多个通孔从所述第一表面延伸至所述第二表面,且多个盲孔从所述第一表面朝所述第二表面部分地延伸。2.如权利要求1所述的气体分配板,其中所述通孔与所述盲孔具有六边形铺设(hexagonaltiling)排列方式。3.如权利要求2所述的气体分配板,其中所述通孔与所述盲孔错开(staggered)。4.如权利要求1所述的气体分配板,进一步包括界面板,所述界面板设置在所述气体分配板上。5.如权利要求4所述的气体分配板,其中所述界面板具有表面,所述表面面向所述气体分配板,且所述表面涂布有反射性涂层或吸收性涂层。6.如权利要求4所述的气体分配板,其中所述界面板包括多个通孔,其中所述界面板的所述多个通孔的每一通孔对准所述气体分配板中的所述多个通孔的一通孔。7.如权利要求4所述的气体分配板,其中所述界面板包括两个或更多个开口,所述开口邻近所述气体分配板中的每一盲孔处。8.一种处理腔室,包括:一或多个壁,所述一或多个壁界定处理区域;气体分配板,所述气体分配板位在所述处理区域中,所述气体分配板包括:第一表面;以及第二表面,其中多个通孔从所述第一表面延伸至所述第二表面,且多个盲孔从所述第一表面部分地延伸;以及基板支撑件,所述基板支撑件位在所述处理区域中。9.如权利要求8所述的处理腔室,进一步包括界面板,所述界面板设置在所述气体分配板上。10.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述界面板包括多个通孔,其中所述界面板的所述多个通孔的每一通孔对准所述气体分配板中的所述多个通孔的一通孔。11.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述界面板包括两个或更多个开口,所述开口邻近所述气体分配板中的每一盲孔处。12.权利要求8所述的处理腔室,其中所述一或多个壁包括侧壁与下壁,且所述处理腔室进一步包括结构,所述结构设置在所述侧壁上,其中所述结构包括多个隔间,且其中所述多个隔间的每一隔间包括气体馈送件。13.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述结构是由反射性材料或吸收性材料制成。14.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述结构包括表面,所述表面面向所述气体分配板,且所述表面涂布有反射性材料或吸收性材料。15.一种用于控制气体分配板的温度的方法,包括下述步骤:使相变化材料流进所述气体分配板中所形成的多个盲孔中;以及控制所述多个盲孔内的压力,以当所述气体分配板的所述温度到达预定等级时,转变所述相变化材料的相。2CN106796871A说明书1/5页蜂巢式多区域气体分配板[0001]背景技术领域[0002]本文所述的实施方式一般地涉及用于改善半导体处理腔室中的气体分配的装置与方法。尤其是,本文所述的实施方式涉及气体分配板。背景技术[0003]半导体处理中,通常使用各种工艺形成在半导体器件中具有功能性的膜。在那些工艺中,某些类型的沉积工艺称作外延。在外延工艺中,一般将气体混合物引入含有一或多个基板的腔室中,而外延层待形成于该基板上。维持工艺条件以促使(encourage)蒸气于基板上形成高品质的材料层。[0004]示例性外延工艺中,诸如介电材料或半导体材料的材料形成于基板的上表面上。外延工艺于基板的表面上生长薄且超纯的材料层,诸如硅或锗。通过下述方式该材料可在侧向流腔室中被沉积:将工艺气体实质上平行于