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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109412133A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201811257305.5(22)申请日2018.10.26(71)申请人无锡天极芯科技有限公司地址214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D栋506室(72)发明人张怀东(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315代理人程爽(51)Int.Cl.H02H11/00(2006.01)H02H9/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路(57)摘要本发明提供一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,包括内部电路、限流电阻R1、二极管D、驱动NMOS管。其中,驱动NMOS管的漏极通过二极管D连接到输出端口且源极接地线,或驱动NMOS管的漏极连接到输出端口且源极通过二极管D接地线,驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上,驱动NMOS管和二极管D串联在一起,内部电路通过限流电阻R1连接到电源。本发明通过在驱动蜂鸣器的驱动NMOS管上串联二极管D或者限流电阻或者二者的结合,内部电路通过电阻R1进行限流,使当电源线与地线反接时能起到限流的作用。而且该电路具有正常工作时启动电压低的优点,和防止芯片正常使用时电源电压下降幅度过大、以及防止电源线与地线反接时烧毁芯片的优点。CN109412133ACN109412133A权利要求书1/1页1.一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,其特征在于,包括内部电路、限流电阻R1、二极管D、驱动NMOS管,所述驱动NMOS管的漏极通过所述二极管D连接到输出端口且源极接地线,或所述驱动NMOS管的漏极连接到输出端口且源极通过所述二极管D接地线,所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上,所述驱动NMOS管和所述二极管D串联在一起,内部电路通过所述限流电阻连接到电源,内部电路通过所述限流电阻连接到电源,所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本发明所述模块在同一芯片的其他电路模块。2.如权利要求1所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,其特征在于,所述二极管D至少为一个。3.如权利要求1所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,其特征在于,所述限流电阻R1至少为一个。4.如权利要求1所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,其特征在于,所述二极管和所述限流电阻均不止一个,多个所述限流电阻和多个所述二极管进行串并联组合。5.如权利要求2~4任一所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,其特征在于,所述二极管D为集成电路常用的二极管。6.如权利要求2~4任一所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,其特征在于,所述二极管为NMOS管的二极管D接法。7.如权利要求2~4任一所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,其特征在于,所述二极管为三极管的二极管D接法。2CN109412133A说明书1/4页一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路技术领域[0001]本发明涉及一种蜂鸣器电路领域,具体涉及一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路。背景技术[0002]如图9所示,为传统的防止电源线与地线反接而造成芯片烧毁的电路,当电源线与地线反接时,即芯片的电源线被误接到地线,芯片的地线被误接到电源线,二极管D反偏,处于截止状态,从而达到防止电源线与地线反接而造成芯片烧毁的目的。这种电路的缺点是:正常工作时,芯片正常工作的启动电压要比没有二极管D时高一个二极管D正向导通电压。发明内容[0003]本发明提供一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,在防止电源线与地线反接时,即芯片的电源线被误接到地线,芯片的地线被误接到电源线,而造成芯片烧毁时,以解决电路启动电压被抬高的问题,以及防止芯片正常使用时电源电压下降幅度过大。[0004]为解决上述技术问题,如图1所示,本发明提供一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路,包括内部电路、限流电阻R1、二极管D、驱动NMOS管,所述驱动NMOS管的漏极通过所述二极管D连接到输出端口且源极接地线,或所述驱动NMOS管的漏极连接到输出端口且源极通过所述二极管D接地线,所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上,所述驱动NMOS管和所述二极管D串联在一起,内部电路通过所述限流电阻连接到电源,所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本发明所述模块在同一芯片的其他电路模块。[0005]优选的,所述二极管至少为一个。[0006]优选的,所述限流电阻R1至少为一个。[0007]优选的,所述二极管D和所述限流电阻R1均不止一个,多个所述限流电阻和多个所述二极管进行串并联组合。[0008