一种多孔碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法.pdf
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一种多孔碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法.pdf
本发明涉及多孔陶瓷领域,具体为一种多孔碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法。该蜂窝陶瓷为具有波纹几何形状及平板形状的碳化硅多孔板交替叠加组合而成,碳化硅多孔板的孔密度在5PPI~200PPI之间。波纹形状是三角形,三角形顶角可以为尖锐形状,亦可为由三角形变形而来的波纹形状等。本发明中有机纤维丝网经涂覆浆料后热压成型为波纹板或者平板,将波纹板与平板以交替堆垛的方式粘接在一起,再经热解、反应渗硅可得到碳化硅蜂窝陶瓷。本发明得到的多孔碳化硅蜂窝陶瓷不仅在轴向保持现有蜂窝陶瓷的直通道结构,而且在通道壁面上具有大量孔洞,具有
一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。制备方法包括如下步骤:将粉石矿和碳粉混合球磨;将混合料压制成型后放置进1850~2000℃连续作业恒温碳管炉中加热生成碳化硅晶须;将所述碳化硅晶须与短切碳纤维、单质硅和粘结剂,以无水乙醇为球磨介质,进行湿混球磨;烘干得粉料;将粉料过筛后进行加热挤压成型材,然后放入高温真空热等静压机中,逐步升温至1900℃并进行氮气保护的同时充入气态硅,保温3小时,得到碳化硅纤维多孔陶瓷体。本发明短切碳纤维、单质硅原位进行反应烧结,和碳化硅晶须在升温过程中的晶须生长,相互弥合生长
一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法.pdf
本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法,属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下:1)以SiC粉、混合树脂溶液、碳化硼为原料,充分球磨混合均匀后制成生粉,经造粒、模压、冷等静压后制成生坯;2)将生坯在真空条件下以小于100℃/h的升温速度升至700~900℃,保温2~4h并随炉冷却,使其中的混合树脂充分碳化留下孔隙;3)在常压保护气氛下以200~300℃/h的升温速度升至2000~2200℃,随炉冷却后移至空气炉中在400~500℃下煅烧除去多余的碳,即得到该多孔碳化硅陶瓷。本发明制备过程中避免
一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法,其特征在于,按重量百分数,包括下述组分:碳化硅粉末30%~45%、碳粉粉末5%~10%、硅粉35%~50%以及粘接剂酚醛树脂3%~12%。先将碳化硅粉末、碳粉以及硅粉粉末球磨湿混,得到混合粉末,加入粘接剂酚醛树脂造粒,模压成型,然后将成型生坯烘干后,放入空气炉中排胶。排胶完成后将其按照反应烧结工艺烧结,将反应烧结得到的制品在2000℃以上的高温下进行再结晶处理及排硅,得到单一物相的多孔碳化硅材料。本发明制备的多孔碳化硅材料具有孔隙度可控、强度高,耐腐蚀性和热稳定
多孔碳化硅陶瓷及其制备方法.pdf
本发明提出了制备多孔碳化硅陶瓷的方法,包括:将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼,以便得到喂料;将喂料加热至120~160摄氏度进行注射成型,以便得到生坯;将生坯置入脱脂剂中,在40~60摄氏度下反应12~36小时,以便进行溶剂脱脂;将经过溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中,按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结;将经过热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中,在真空或惰性气体条件下,按第二温度控制程序进行高温烧结,并得到多孔碳化硅陶瓷。利用该方法制备得到的多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。