预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共20页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113279043A(43)申请公布日2021.08.20(21)申请号202110188860.2B33Y10/00(2015.01)(22)申请日2021.02.19(30)优先权数据2020-0270042020.02.20JP(71)申请人株式会社荏原制作所地址日本东京都(72)发明人增田泰之张绍华向山佳孝下山正藤方淳平(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人舒艳君王海奇(51)Int.Cl.C25D21/10(2006.01)C25D17/00(2006.01)B33Y80/00(2015.01)权利要求书1页说明书7页附图11页(54)发明名称搅拌器、具备该搅拌器的处理装置、该搅拌器的制造方法(57)摘要本发明提供搅拌器、具备该搅拌器的处理装置以及该搅拌器的制造方法。该搅拌器能够降低电场遮蔽的影响,并且能够提高机械强度。用于通过在处理槽(1)内移动来搅拌该处理槽(1)内的处理液的搅拌器(16)具备形成蜂窝构造(40)的多个搅拌梁(45)。蜂窝构造(40)具有由多个搅拌梁(45)形成的多个六边形的通孔(50)。CN113279043ACN113279043A权利要求书1/1页1.一种搅拌器,用于通过在处理槽内移动来搅拌该处理槽内的处理液,其中,所述搅拌器具备形成蜂窝构造的多个搅拌梁,所述蜂窝构造具有由所述多个搅拌梁形成的多个六边形的通孔。2.根据权利要求1所述的搅拌器,其中,所述多个搅拌梁分别相对于所述搅拌器的移动方向倾斜或者与所述搅拌器的移动方向垂直。3.根据权利要求1或2所述的搅拌器,其中,所述多个六边形的通孔为多个正六边形的通孔。4.根据权利要求1或2所述的搅拌器,其中,所述搅拌梁的宽度与所述多个六边形的通孔的排列间距的比例小于10%。5.根据权利要求1或2所述的搅拌器,其中,所述搅拌梁的宽度为0.5mm~3.0mm。6.根据权利要求1或2所述的搅拌器,其中,所述多个六边形的通孔的排列间距为5mm~23mm。7.根据权利要求1或2所述的搅拌器,其中,所述多个六边形的通孔的排列方向相对于所述搅拌器的移动方向倾斜。8.根据权利要求7所述的搅拌器,其中,所述搅拌器的移动为往复运动,若将所述多个六边形的通孔的排列方向相对于所述搅拌器的往复运动的方向的角度设为θ、将所述搅拌器的往复运动的1行程的长度设为T、将所述六边形的通孔的高度设为H、将n设为自然数,则tanθ等于n(H/2)/T。9.一种处理装置,用于对工件进行处理,所述处理装置具备:处理槽,其用于在内部保持处理液;工件保持架,其保持所述工件;权利要求1至8中的任意一项所述的搅拌器;以及搅拌器驱动装置,其使所述搅拌器移动,所述搅拌器配置在所述处理槽内。10.一种搅拌器的制造方法,该搅拌器用于通过在处理槽内移动来搅拌该处理槽内的处理液,所述搅拌器的制造方法包括以下工序:将所述搅拌器的三维设计数据储存于立体打印机的存储装置内,并且由所述立体打印机基于所述三维设计数据制作所述搅拌器,所述搅拌器是权利要求1至8中的任意一项所述的搅拌器。2CN113279043A说明书1/7页搅拌器、具备该搅拌器的处理装置、该搅拌器的制造方法技术领域[0001]本发明涉及在对晶片、基板、面板等工件的表面进行处理时使用的搅拌器、具备该搅拌器的处理装置以及该搅拌器的制造方法。背景技术[0002]图18是表示现有的镀敷装置的概略图。如图18所示,作为对工件W进行处理的处理装置的一例的镀敷装置具备:在内部保持镀敷液的镀敷槽201、配置在镀敷槽201内的阳极202、保持阳极202的阳极保持架203、以及工件保持架204。工件保持架204构成为装卸自如地保持晶片、基板等工件W,并且使工件W浸渍于镀敷槽201内的镀敷液。[0003]镀敷装置还具备对镀敷槽201内的镀敷液进行搅拌的搅拌器205。搅拌器205配置于由工件保持架204保持的工件W的表面附近。搅拌器205铅垂地配置,通过与工件W的表面平行地往复运动来对镀敷液进行搅拌,在工件W的镀敷过程中,能够向工件W的表面均匀地供给充分的金属离子。[0004]阳极202经由阳极保持架203与电源207的正极连接,工件W经由工件保持架204与电源207的负极连接。若对阳极202与工件W之间施加电压,则电流流过工件W,在工件W的表面形成金属膜。[0005]通过镀敷而形成在工件W上的金属膜的厚度受形成于阳极202与工件W之间的电场的强度影响。搅拌器205配置于阳极202与工件W之间,因此搅拌器205一边遮蔽电场一边在水平方向上往复运动。[0006]专利文献1:日本特开2000‑129496号公报[0007]图19是从箭头A所示的方向观察图18所示的搅拌器205的图。搅