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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113874149A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202080038398.1R·J·格罗斯梅耶M·L·汉弗莱(22)申请日2020.05.21Z·R·哈亚特K·R·米勒R·C·彼得森J·C·瑞科特(30)优先权数据62/851,9732019.05.23US(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100(85)PCT国际申请进入国家阶段日代理人徐鑫项丹2021.11.23(51)Int.Cl.(86)PCT国际申请的申请数据B23H1/04(2006.01)PCT/US2020/0339342020.05.21B23H3/04(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据C23C24/10(2006.01)WO2020/237012EN2020.11.26C22C27/04(2006.01)B33Y10/00(2015.01)(71)申请人康宁股份有限公司B33Y80/00(2015.01)地址美国纽约州(72)发明人T·E·安特斯博格D·C·伯克宾德D·E·库兹S·A·法扎德法D·J·弗仑兹权利要求书3页说明书10页附图12页(54)发明名称用于形成蜂窝挤出模头的电极的制备方法(57)摘要用于形成蜂窝挤出模头的电极的形成方法。该方法包括通过增材式制造工艺的方式形成电极,所述电极包括具有从底座延伸的网络的底座。网络限定了孔道开口的矩阵。该方法还包括形成具有多个销钉的次级电极。所述多个销钉的形状和布置使得与电极的网络所限定的孔道开口的矩阵相匹配。该方法还包括采用次级电极对电极进行机械加工从而对通过增材式制造工艺所形成的电极的表面进行光滑处理。CN113874149ACN113874149A权利要求书1/3页1.一种增材式制造铜‑钨电极的方法,该方法包括:形成作为一系列的层的电极,其中,通过如下方式形成每一层:在制造平台上或者在该系列的之前的层上沉积粉末层,其中,粉末层包含钨粉末和铜粉末;以及采用激光向粉末层施加约1至约10J/mm2的激光能,使得粉末层熔合;其中,电极包括通过该系列的层熔合到一起所形成的被铜渗透的钨的互联网络。2.如权利要求1所述的方法,其中,电极具有至少约75%的相对密度。3.如权利要求2所述的方法,其中,电极具有至少约90%的相对密度。4.如权利要求1‑3中任一项所述的方法,其中,钨粉末和铜粉末分别具有约15μm至约55μm的粒度分布。5.如权利要求1‑4中任一项所述的方法,其中,钨粉末和铜粉末分别具有约25μm或更小的粒度分布。6.如权利要求1‑5中任一项所述的方法,其中,粉末层中存在的钨粉末的量是约70重量%至约90重量%。7.如权利要求1‑6中任一项所述的方法,其中,粉末层中存在的钨粉末的量是75重量%,以及存在的铜粉末的量是25重量%。8.如权利要求1‑7中任一项所述的方法,其中,粉末层的沉积包括:沉积钨粉末或铜粉末中的一种,以及后续沉积钨粉末或铜粉末中的另一种。9.如权利要求1‑8中任一项所述的方法,其中,粉末层的沉积包括沉积铜粉末与钨粉末的混合物。10.如权利要求1‑9中任一项所述的方法,其中,形成电极包括形成包含底座的电极,所述底座具有从底座延伸的网络,其中,网络限定了孔道开口的矩阵。11.如权利要求10所述的方法,其中,形成电极还包括在电极的底座中形成一个或多个内部通道。12.如权利要求1‑11中任一项所述的方法,其还包括采用次级电极通过插入式电火花机械加工或者电化学机械加工对电极进行光滑处理。13.如权利要求12所述的方法,其中,电极的光滑处理包括对电极进行光滑处理从而使得电极的表面粗糙度是约1至约50μm。14.一种电极,其通过权利要求1‑13中任一项所述的方法形成。15.一种制造电极的方法,其包括:以层叠层的方式形成多孔钨结构,其中,通过如下方式形成每一层:沉积钨粉末的层;以及在沉积后续层之前,采用激光能是约1至约10J/mm2的激光选择性地熔合钨粉末;用熔化的铜渗透多孔钨结构从而形成包含被铜渗透的多孔钨结构的电极。16.如权利要求15所述的方法,其中,多孔钨结构的相对密度水平是至少约75%。17.如权利要求15或16中任一项所述的方法,其中,钨粉末具有约15μm至约55μm的粒度分布。18.如权利要求15‑17中任一项所述的方法,其中,通过如下方式中的一种进行用熔化的铜渗透多孔钨结构:自发或加压渗透、离心渗透、超声驱动或辅助渗透、或者洛伦兹力渗2CN113874149A权利要求书2/3页透。19.如权利要求15‑17中任一项所述的方法,其中,电极包括底座,所述底座具有从底座延伸的网络,其中,网络限定了孔道开口的矩阵。20.如权利要求15‑17中任一项所述的方法,其还包括采