电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜工艺.pdf

本发明公开了一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜工艺。其过程为:将清洗好的Si片置于蒸镀室内，对蒸镀室抽真空并保持。先将电子束聚焦光斑调宽，预蒸发1～2min，再正式开始蒸镀。蒸镀时，电子束功率为2～4KW，蒸发速率保持在10～30nm/min，衬底温度为150～200℃。蒸镀完成后自然冷却至室温，再取出并置于高真空退火炉中。退火炉背底真空小于等于10-3Pa，为抑制Mg挥发，退火前腔体内通入氩气，并封闭。整个退火过程中，保持氩气气压为-0.01MPa到-0.1MPa。退火时间3-7小时,

2023-06-20

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环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺.pdf

本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺，它包括：首先清洗Si基片；其次采用高真空磁控溅射系统在Si单晶上沉积200-500nm纯金属Mg膜，形成Si/Mg薄膜结构；最后放置于真空退火炉内。对真空退火炉抽真空，退火炉背底真空小于等于10-3Pa，往高真空的退火炉内通入氩气，然后封闭退火炉进行退火处理。整个退火过程中，保持退火炉腔体内氩气气压为10-104Pa的氩气氛围、350-550℃退火3-8小时,直接形成环境友好半导体Mg2Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺，具有镀膜层与基

2023-06-20

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一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺.pdf

本发明公开了一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸镀；第二、退火工艺，蒸镀完成后的Si片置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备出单一相Mg2Si半导体薄膜；解决了现有技术存在的实验条件苛刻，成本较高，难于工业化推广等缺点，以及采用电子束蒸发沉积工艺，在退火炉中退火过程中采用氩气氛围退火，有MgO氧化物等杂质的产生，最终影响Mg2Si的品质等问题。

2023-06-20

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退火对磁控溅射法制备半导体Mg2Si薄膜的影响.pdf

Vol.32,No.8JournalofSemiconductorsAugust2011AnnealingeffectsontheformationofsemiconductingMg2SifilmusingmagnetronsputteringdepositionXiaoQingquan(肖清泉),XieQuan(谢泉)Ž,ChenQian(陈茜),ZhaoKejie(赵珂杰),YuZhiqiang(余志强),andShenXiangqian(沈向前)InstituteofAdvancedOptoel

2024-08-15

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半导体薄膜材料的制备研究现状.pptx

会计学薄膜制备方法按物理、化学(huàxué)角度来分，有：利用蒸发(zhēngfā)、溅射沉积或复合的技术，不涉及到化学反应,成膜过程基本是一个物理过程而完成薄膜生长过程的技术,以PVD为代表。2.1真空蒸发镀膜工艺(gōngyì)方法2.2溅射(jiànshè)镀膜（sputteringdeposition）2.3离子(lízǐ)成膜/二、化学(huàxué)气相沉积(CVD)900°C3.1液相外延(wàiyán)Electrochemicalpreparationandcharacterizati

2024-10-14

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