真空电容器及其制造方法.pdf

本发明公开了一种真空电容器及其制造方法，该真空电容器包括陶瓷绝缘管、上端盖和下端盖、上电极环、上接线柱、下电极环和下接线柱；各上电极环和各下电极环同心设置；上端盖密封住陶瓷绝缘管上端的开口，上接线柱设置在上端盖的上表面上；下端盖密封住陶瓷绝缘管下端的开口，下接线柱设置在下端盖的下表面上。该真空电容器的制造方法包括以下步骤：将拼装好的半成品真空电容器置入真空炉，抽至预定真空度后再进行加热处理，直至焊料融化，融化后的焊料将上端盖、陶瓷绝缘环和下端盖钎焊固定连接，待其冷却后取出即可作为成品真空电容器。本发明产品

2023-06-20

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电容器及其制造方法.pdf

防止压力阀的功能下降。电容器及其制造方法，该电容器具备：封口部件(封口板(6))，其具备阀设置部(岛状部(16))，所述阀设置部具有收纳电容器元件(30)的外装壳体(4)的密封加工部(卷边部(10))的高度以上的高度；以及压力阀(20)，其设置在所述阀设置部(岛状部(16))的贯通孔(22)，并且在超过所述密封加工部(卷边部(10))的高度的位置设定有阀功能部(薄膜部(24))，降低了水和尘埃相对于阀功能部(薄膜部(24))的滞留。

2023-11-22

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双面电容器及其制造方法.pdf

本发明提供一种双面电容器及其制造方法，所述双面电容器包括：半导体衬底，形成有多个内存数组结构中焊盘；双面电容器阵列，形成于所述第一焊盘上，所述双面电容器包括双U型的第一导电层及第二导电层、电容介质以及第三导电层。本发明以多重图案方法以及边界工艺强化的支撑架结构，制造出六方阵列排布的双U型下电极的双面电容器，具有较大的高度与宽度比，可有效提高单位面积下的电容值。

2023-06-02

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电容器结构及其制造方法.pdf

本发明公开一种电容器结构，包括基底、至少一个第一介电层、至少一个第二介电层、电容器与内连线结构。基底包括电容器区与非电容器区。第一介电层位于电容器区与非电容器区中的基底上。第二介电层位于非电容器区中的基底上。至少一部分第二介电层位于第一介电层中。第二介电层的材料与至少一部分第一介电层的材料不同。第二介电层的介电常数小于至少一部分第一介电层的介电常数。电容器位于电容器区中的至少一个第一介电层中。电容器包括彼此电性绝缘的两个电极。内连线结构位于非电容器区中的至少一个第二介电层中。

2023-06-07

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MIM电容器及其制造方法.pdf

示例性MIM电容器可以包括第一金属板、在第一金属板上的电介质层、在电介质层上的第二金属板、在第二金属板上的过孔层以及在过孔层上的第三金属板，其中第二金属板具有锥形轮廓，该锥形轮廓具有第一侧和比第一侧更长的第二侧，使得第二侧针对电流提供更低的电阻路径。

2023-08-31

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