双浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101906544A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CNCN101906544101906544A(43)申请公布日2010.12.08(21)申请号201010255097.2(22)申请日2010.08.17(71)申请人牛强地址100864北京市西城区三里河路52号中国科学院院士工作局(72)发明人牛强储少军(51)Int.Cl.C22B26/22(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图2页(54)发明名称双浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法(57)摘要本发明公开了双浸渍管硅铁浴真空环流炼镁的装置及其方法，装置包括：感应炉(101)、真空反应室(104)、上升浸渍管(102)和下降浸渍管(103)，上升浸渍管的管壁还连通导流的氩气喷吹管(110)；连通的镁蒸气冷凝器(206)、镁液喷淋器(210)和镁液储存器(202)，镁矿粉输送和喷射装置(111)～(115)。所述工艺为含硅量30％～65％的硅铁液，温度为1350～1600℃；硅铁液与喷吹入其中的镁矿粉混合物在真空反应装置和感应炉之间环形流动，真空度350Pa～10000Pa，反应生成镁蒸气，经冷凝和镁液喷淋生成镁液入储存装置，浇注镁锭。本发明具有节能低耗、生产率高等优点。CN109654ACN101906544ACCNN110190654401906547A权利要求书1/2页1.一种双浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置，其特征在于，包括：真空反应装置，其包括真空反应室(104)、设置在真空反应室(104)顶部的密封法兰盘盖(119)、并列地连接在真空反应室(104)底部的上升浸渍管(102)和下降浸渍管(103)，在真空反应室(104)的顶端及侧壁设置的电弧和等离子体加热器以及附设在真空反应装置上的水平旋转和升降机构；加热装置，其设置在真空反应装置的下方，且为一可倾动、可升降的工频或中频感应炉(101)；镁矿粉输送喷射装置，包括多个连通的镁矿粉储存装置(111、112、113、114)和一端与多个连通的镁矿粉储存装置连接的镁矿粉输送喷射管(115)，其中，镁矿粉输送喷射管(115)的另一端伸入至所述可倾动、可升降的工频或中频感应炉(101)中；至少一个镁液收集和储存装置，其设置在真空反应室(104)的上部外侧面，其包括和真空反应室(104)连通的镁蒸气冷凝器(206)、设置在镁蒸气冷凝器(206)上部的镁液喷淋器(210)和设置在镁蒸气冷凝器(206)下部的镁液储存器(202)；以及真空抽气装置。2.如权利要求1所述的炼镁装置，其特征在于：所述真空抽气装置为罗茨泵和水环泵组、旋片泵和油增压泵组，或水蒸气喷射泵系组。3.根据权利要求1所述炼镁装置，其特征在于：真空反应室(104)外壳为钢壳，其内衬为以石棉板、石蜡石或三氧化二铝空心球为材料的隔热层和以高铝质、刚玉、碳质或碳化硅质为材料的耐火层，且所述耐火层位于所述隔热层的外面；真空反应室(104)容积为感应炉(101)容量的1.1～4.0倍，真空反应室(104)的高宽比为2.5～8.0。4.根据权利要求1所述炼镁装置，其特征在于：真空反应室(104)底部连接的上升浸渍管(102)和下降浸渍管(103)为所述真空反应装置的分体部件，上升浸渍管(102)附设导流的氩气喷吹管(110)，上升浸渍管(102)和下降浸渍管(103)内衬高铝质、碳质、碳化硅质耐火材料捣结料，其高度为0.6～2.0米，其内径与真空反应室(104)内径比为0.12～0.45。5.根据权利要求1所述炼镁装置，其特征在于：所述至少一个镁液收集和储存装置还包括设置在镁蒸汽冷凝器(206)上的冷凝器阀门(212)、设置在镁液储存器(202)上的镁液储存器阀门(205)、一端和镁蒸汽冷凝器(206)连通，另一端和镁液存储器(202)连通的镁液提升管(204)、设置在镁液提升管(204)上的镁液提升管阀门(203)、设置在镁液提升管(204)上的镁液定量提升泵(207)、以及设置在真空和除尘连接管(208)上的真空连接管阀门(209)。6.根据权利要求1所述炼镁装置，其特征在于：镁矿粉输送喷射管(115)设置部位分别设在真空反应室(104)的顶部位置、真空反应室(104)的中上部位的侧壁、上升浸渍管(102)入口、下降浸渍管(103)出口处，或设置在感应炉(101)的顶部。7.根据权利要求1所述炼镁装置，其特征在于：感应炉(101)的内径与真空反应装置的真空反应室(104)内径比为1.2～3.0，感应炉(101)包括多孔钢质外壳、感应线圈(105)及其内衬绝缘材料玻璃布、石棉板、三氧化二铝空心球，内衬预制镁砂坩埚，再内套预制石墨或碳化硅坩埚。炉口设置用于排出熔渣和残留硅铁液的流渣槽(117)，附设感应炉炉体倾