低光衰LED的烘烤工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101958385A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101958385A(43)申请公布日2011.01.26(21)申请号201010525247.7(22)申请日2010.10.30(71)申请人浙江创盈光电有限公司地址310030浙江省杭州市三墩镇西园五路16号厂房5B层(72)发明人周杭徐凌峰(74)专利代理机构杭州赛科专利代理事务所33230代理人陈辉(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称低光衰LED的烘烤工艺(57)摘要本发明涉及一种低光衰LED的烘烤工艺，其包括如下步骤：1）表面添涂混有荧光粉的硅树脂的LED芯片放置在100℃-120℃的烘烤箱内短烤0.5小时-1.5小时，然后在150℃-170℃的烘烤箱内长烤4.5小时-5.5小时；2）将LED芯片取出并放置在100℃-120℃的烘烤炉内预热1小时-1.5小时后在硅树脂层外通过环氧树脂封装；3）然后整体放置在140℃-150℃的烧烤炉内将短烤1小时-1.5小时，然后在125℃-135℃的温度下长烤6小时。优点：本发明具有有效的解决固化后硅树脂与外封装环氧树脂之间产生剥离出现的分层现象，从而实现了产品的低光衰。CN109583ACCNN110195838501958386A权利要求书1/1页1.一种低光衰LED的烘烤工艺，其特征是：其包括如下步骤：1）表面添涂混有荧光粉的硅树脂的LED芯片放置在100℃-120℃的烘烤箱内短烤0.5小时-1.5小时，然后在150℃-170℃的烘烤箱内长烤4.5小时-5.5小时；2）将LED芯片取出并放置在100℃-120℃的烘烤炉内预热1小时-1.5小时后在硅树脂层外通过环氧树脂封装；3）然后整体放置在140℃-150℃的烧烤炉内将短烤1小时-1.5小时，然后在125℃-135℃的温度下长烤6小时。2.根据权利要求1所述的低光衰LED的烘烤工艺，其特征是：所述LED芯片选用波长为460nm~465nm的蓝光芯片。2CCNN110195838501958386A说明书1/2页低光衰LED的烘烤工艺技术领域[0001]本发明共涉及一种LED的烘烤工艺，特别是一种低光衰LED的烘烤工艺。背景技术[0002]传统烘烤工艺采取150℃的温度下短烤1小时用于固化配有荧光粉的环氧树脂，然后130℃的温度下长烤8小时用于固化外封装的环氧树脂。当环氧树脂的Tg点与工作中芯片的Tj点很接近时，环氧树脂的热膨胀系数会发生剧烈变化，这时产生的内部应力和水分的蒸汽压力很可能大于封装树脂与芯片、固晶胶以及框架表面之间的粘结力，以致它们的界面之间出现剥离现象，严重时还会导致封装树脂或芯片出现裂纹，导致光衰严重。并且目前市场上采用的蓝光芯片产生的蓝光波长多为455~460nm，激发荧光粉后产生的白光偏向冷白光，光效和视觉效果差，另外量子效率低，出光不稳定。发明内容[0003]本发明的目的就是为了避免背景技术中的不足之处，提供一种低光衰LED的烘烤工艺。[0004]为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：低光衰LED的烘烤工艺，其包括如下步骤：1）表面添涂混有荧光粉的硅树脂的LED芯片放置在100℃-120℃的烘烤箱内短烤0.5小时-1.5小时，然后在150℃-170℃的烘烤箱内长烤4.5小时-5.5小时；2）将LED芯片取出并放置在100℃-120℃的烘烤炉内预热1小时-1.5小时后在硅树脂层外通过环氧树脂封装；3）然后整体放置在140℃-150℃的烧烤炉内将短烤1小时-1.5小时，然后在125℃-135℃的温度下长烤6小时。[0005]对于本发明的一种优化，所述LED芯片选用波长为460~465nm的蓝光芯片。[0006]本发明与背景技术相比，具有有效的解决固化后硅树脂与外封装环氧树脂之间产生剥离出现的分层现象，从而实现了产品的低光衰。具体实施方式[0007]实施例1：低光衰LED的烘烤工艺，其包括如下步骤：1）表面添涂混有荧光粉的硅树脂的LED芯片放置在100℃的烘烤箱内短烤0.5小时，然后在150℃的烘烤箱内长烤4.5小时；2）将LED芯片取出并放置在100℃的烘烤炉内预热1小时后在硅树脂层外通过环氧树脂封装；3）然后整体放置在140℃的烧烤炉内将短烤1小时，然后在125℃-135℃的温度下长烤6小时。[0008]实施例2：低光衰LED的烘烤工艺，其包括如下步骤：3CCNN110195838501958386A说明书2/2页1）表面添涂混有荧光粉的硅树脂的LED芯片放置在110℃的烘烤箱内短烤1小时，然后在157℃的烘烤箱内长烤5小时；2）将LED芯片取出并放置在110℃的烘烤炉内预热1.5小时后在硅树脂层外通过环氧树脂封装；3）然后整体放置在