一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101969083A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101969083A(43)申请公布日2011.02.09(21)申请号201010152171.8(22)申请日2010.04.20(71)申请人常州天合光能有限公司地址213031江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号(72)发明人王庆钱(74)专利代理机构常州市维益专利事务所32211代理人王凌霄(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法(57)摘要本发明涉及一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，包括下列步骤：i、将经扩散炉管扩散后得到的硅片进行扩散薄膜电阻分布测试。ii、根据扩散薄膜电阻分布测试，得到硅片的扩散薄膜分布测试数据。iii、根据硅片的扩散薄膜分布测试数据，调节石英舟的支撑脚高度h或调节石英舟的卡槽位置。本发明通过调节石英舟的支撑脚高度和石英舟的卡槽位置，来调节石英舟上硅片的位置，使硅片位于扩散炉管的热量均衡点处，硅片上、下、左、右受热均匀，制作出的太阳能电池的扩散薄膜电阻片内均匀性较好，其太阳能电池的转换效率较高。CN109683ACN101969083A权利要求书1/1页1.一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，所述的太阳能电池具有硅片，硅片通过石英舟内的卡槽放置在石英舟上，放有硅片的石英舟放置在扩散炉管内，扩散炉管加热对硅片进行扩散，其特征在于：所述的改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法包括下列步骤：i、将经扩散炉管扩散后得到的硅片进行扩散薄膜电阻分布测试；ii、根据扩散薄膜电阻分布测试，得到硅片的扩散薄膜分布测试数据；iii、根据硅片的扩散薄膜分布测试数据，调节石英舟的支撑脚高度h或调节石英舟的卡槽位置。2.根据权利要求1所述的一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，其特征在于：所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片上方测试点的扩散薄膜电阻比硅片下方测试点的扩散薄膜电阻高；所述的调节石英舟支撑脚高度的方法为：增高石英舟支撑脚的高度h，使石英舟上硅片的上方更靠近扩散炉管的炉壁。3.根据权利要求1所述的一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，其特征在于：所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片上方测试点的扩散薄膜电阻比硅片下方测试点的扩散薄膜电阻低；所述的调节石英舟支撑脚高度的方法为：降低石英舟支撑脚的高度h，使石英舟上硅片的上方更远离扩散炉管的炉壁。4.根据权利要求1所述的一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，其特征在于：所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片右方测试点的扩散薄膜电阻比硅片左方测试点的扩散薄膜电阻高；所述的调节石英舟的卡槽位置的方法为：石英舟的卡槽位置向硅片右方移动，使石英舟上硅片的右侧更靠近扩散炉管的炉壁。5.根据权利要求1所述的一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，其特征在于：所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片右方测试点的扩散薄膜电阻比硅片左方测试点的扩散薄膜电阻低；所述的调节石英舟的卡槽位置的方法为：石英舟的卡槽位置向硅片左方移动，使石英舟上硅片的右侧更远离扩散炉管的炉壁。6.根据权利要求1所述的一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，其特征在于：所述的硅片可进行多次扩散薄膜电阻分布测试，根据多次扩散薄膜分布测试数据，进行石英舟支撑脚高度h的多次调节或石英舟卡槽位置的多次调节。2CN101969083A说明书1/3页一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法技术领域[0001]本发明涉及一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法。背景技术[0002]太阳能电池是利用光伏效应原理把太阳辐射能转换成电能，太阳能电池本质上是一个大面积半导体PN结的二极管。利用卧式扩散炉管在硅基片上进行扩散技术是制作太阳能电池PN结的核心技术。其技术水平的高低直接影响太阳能电池光电转换效率。而硅片的单片片内薄膜电阻均匀性是衡量卧式扩散炉管扩散效果的重要指标。因此，如何提高硅片扩散后片内薄膜电阻均匀性，是业内人士广泛关注的课题。[0003]在太阳能电池制造工艺中，在卧式石英炉管内通入含杂质源的工艺气体(扩散源)，在高温条件下对硅基片进行扩散。炉管的高温，是由炉管外的加热丝进行加热。硅片放置在石英舟上，石英舟放置在炉管内。石英舟在炉管内的位置，决定了硅片受热是否均匀。若石英舟的位置不是在炉管内理论的热量均衡点，硅片受热将不均匀，将会造成硅片的薄膜电阻不均匀。硅片越靠近炉壁，热量吸收越充分，其扩散薄膜电阻值会下降。相反，扩散薄膜电阻会增加。[0004]现有技术存在的不足是：卧式扩散炉管的炉体由于加热丝的加工工艺的