具有新型喷嘴的多晶硅还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102417181A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102417181A(43)申请公布日2012.04.18(21)申请号201110274523.1(22)申请日2011.09.15(71)申请人中国恩菲工程技术有限公司地址100038北京市海淀区复兴路12号(72)发明人严大洲肖荣辉毋克力汤传斌汪绍芬姚心(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人宋合成(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称具有新型喷嘴的多晶硅还原炉(57)摘要本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体；六十对电极，所述六十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第八圈上；进气系统；和排气系统；其中，所述每个喷嘴包括形成有第一进气腔的基座；与所述基座的上端相连且形成有第二进气腔的引流部，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和与所述引流部的上端相连且形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔的导流部，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本发明实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以提高所述还原炉的生产效率。CN102478ACCNN110241718102417191A权利要求书1/2页1.一种具有新型喷嘴的多晶硅还原炉，其特征在于，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；六十对电极，所述六十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第八圈上，所述第一至第八圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的八个同心正六边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第八圈与所述底盘的外周沿之间；其中，所述每个喷嘴包括：基座，所述基座内形成有第一进气腔；引流部，所述引流部与所述基座的上端相连且所述引流部内形成有第二进气腔，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和导流部，所述导流部与所述引流部的上端相连且所述引流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第一圈的每条边上分布有一个电极，在所述第二圈的每条边上分布有一个电极，所述第一圈上的六个电极与所述第二圈上的六个电极一一对应以构成六对电极。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第三圈的每条边上分布有二个电极，在所述第四圈的每条边上分布有二个电极，所述第三圈上的十二个电极与所述第四圈上的十二个电极一一对应以构成十二对电极。4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第五圈的每条边上分布有三个电极，在所述第六圈的每条边上分布有三个电极，所述第五圈上的十八个电极与所述第六圈上的十八个电极一一对应以构成十八对电极。5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第七圈的每条边上分布有四个电极，在所述第八圈的每条边上分布有四个电极，所述第七圈上的二十四个电极与所述第八圈上的二十四个电极一一对应以构成二十四对电极。6.根据权利要求1-5中任一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述第一至第八圈的对应边彼此平行。7.根据权利要求1所述的具有新型喷嘴的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴分别分布在所述底盘中心处以及第九至第十二圈上，所述第九至第十二圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正六边形，其中所述第九圈位于第一和第二圈之间，所述第十圈位于所述第三和第四圈之间，所述第十一圈位于所述第五和第六圈之间，所述第十二圈位于所述第七和第八圈之间。8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述第一至第十二圈的对应边彼此平行。9.根据权利要求7所述的具有新型喷嘴的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴的数量为五十五个，其中在所述第九圈上分布有六个喷嘴，在所述第十圈上分布有十二个2CCNN110241718102417191A权利要求书2/2页喷嘴，在所述第十一圈上分布有十八个喷嘴，在所述第十二圈上分布有十八个喷嘴，其中第九至第十二圈中的任一圈上的喷嘴与和其相邻的圈上的电极沿周向交错布置。10.根据权利要求9所述的具有新型喷嘴的多晶硅还原炉，其特征在于，所述进气系统还包括：进气环管，所述进气环管位于所述底盘下方且与外部气源相连通；五十五个进气管，所述五十五个进气管分别与所述五十五个喷嘴一一对应