一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102584212A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102584212A(43)申请公布日2012.07.18(21)申请号201210022093.9(22)申请日2012.01.31(71)申请人厦门大学地址361005福建省厦门市思明南路422号(72)发明人熊兆贤喻荣薛昊曹泽亮陈拉林一森叶何兰张国锋肖小朋(74)专利代理机构厦门南强之路专利事务所35200代理人马应森(51)Int.Cl.C04B35/462(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书权利要求书11页页说明书说明书66页页(54)发明名称一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法(57)摘要一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法，涉及一种陶瓷材料。低介电损耗陶瓷材料由CaCu3Ti4O12和V2O5组成，化学式为CaCu3Ti4O12+xV2O5，其中x＝0.001～0.005。或由CaCu3Ti4O12和Bi2O3-CuO组成，化学式为CaCu3Ti4O12+x[yBi2O3-(1-y)CuO]，其中x＝0.005～0.05，y＝0.4～0.5。在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2以及V2O5或Bi2O3为原料，采用固相法，其中V2O5或Bi2O3为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，获得低介电损耗陶瓷材料。CN102584ACN102584212A权利要求书1/1页1.一种低介电损耗陶瓷材料，其特征在于由CaCu3Ti4O12和V2O5组成，化学式为CaCu3Ti4O12+xV2O5，其中x＝0.001～0.005。2.如权利要求1所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于其具体步骤为：在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2、V2O5为原料，采用固相法工艺，其中V2O5作为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温，进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，即获得低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4O12+xV2O5。3.如权利要求2所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述升温的条件为以3℃/min的升温速率从室温升至600℃后保温2h。4.如权利要求2所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述继续升温的条件为以3℃/min升温速率升至1000～1100℃烧结后保温5～10h。5.一种低介电损耗陶瓷材料，其特征在于由CaCu3Ti4O12和Bi2O3-CuO组成，化学式为CaCu3Ti4O12+x[yBi2O3-(1-y)CuO]，其中x＝0.005～0.05，y＝0.4～0.5。6.如权利要求5所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于其具体步骤为：在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2、Bi2O3为原料，采用固相法工艺，其中Bi2O3-CuO作为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温，进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，即获得低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4O12+x[yBi2O3-(1-y)CuO]。7.如权利要求6所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述升温的条件为以3℃/min升温速率从室温升至600℃后保温2h。8.如权利要求6所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述继续升温的条件为以3℃/min升温速率升至1000～1100℃烧结后保温5～10h。2CN102584212A说明书1/6页一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种陶瓷材料，尤其是涉及一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法。背景技术[0002]陶瓷材料CaCu3Ti4O12(简写为CCTO)于1979年由Bochu课题组(B.Bochu，M.N.Deschizeaux，J.C.Joubert，etal.Syntheseetcaractérisationd′unesériedetitanatespērowskitesisotypesde[CaCu3](Mn4)O12.JournalofSolidStateChemistry，1979，29(2)：291-298)通过固相烧结法制备。2000年M.A.Subramanian等人(M.A.Subramanian，LiDong，DuanN，etal.HighdielectricconstantinACu3Ti4O12andACu3Ti3FeO12phases.SolidStateChem.，2000，151：323-325)发现，具有钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)在1KHz的频率下其介电常数在10000以上，并且具有很小的温度依赖性，从室温至300℃