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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102786932A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102786932A(43)申请公布日2012.11.21(21)申请号201210297412.7(22)申请日2012.08.11(71)申请人金封焊宝有限责任公司地址277800山东省枣庄市高新区枣曹路(72)发明人宋碧清崔西成倪广春宗明立(51)Int.Cl.C09K11/86(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书22页页附图附图11页(54)发明名称一种新型LED制备工艺(57)摘要一种新型LED制备工艺,其中包括以下步骤:原料粉未的配制,窑炉高温还原,原料粉未的配制是按照化学计量比称取Y2O355.59g、CeO21.73g、Al2O342.69g、H3BO31g、BaF21g,加入玛瑙球在混料器中混料72小时;窑炉高温还原是将混匀后试样放在500cc坩埚中,加盖在N2+3H2的气氛中,以1500℃保温6小时;还包括破碎过筛,球磨或气流粉碎,湿过筛,清洗离心甩干。本发明的优点是:本新型LED制备工艺采用三基色蓝粉窑炉直接高温还原、粉碎、选粉、清洗、烘干成品一套流程;通过调节炉温,保温时间和助熔剂的加入量来控制LED荧光粉的粒度,达到能耗小,收率高的优点。CN10278693ACN102786932A权利要求书1/1页1.一种新型LED制备工艺,其中包括以下步骤:原料粉未的配制,窑炉高温还原,其特3+征在于:所述的原料粉未的配制是根据Y3Al5O12:0.06Ce化学式计算称取Al2O3(99.99%)、Y2O3(99.999%)、CeO2(99.99%)并加入1%H3BO3和BaF2作为助熔剂(按照化学计量比称取Y2O355.59g、CeO21.73g、Al2O342.69g、H3BO31g、BaF21g),加入玛瑙球在混料器中混料72小时;所述的窑炉高温还原是将混匀后试样放在500cc坩埚中,加盖在N2+3H2的气氛中,以1500℃保温6小时;本新型LED制备工艺还包括破碎过筛,球磨或气流粉碎,湿过筛,清洗离心甩干,即用破碎机将荧光粉破碎后,将试样水洗,以便除去试样中的杂质;本新型LED制备工艺还包括烘干,超声波选粉,即将荧光粉放在烘箱中以120℃保温17小时;烘干后,将LED荧光粉过500目超声波震动筛。2CN102786932A说明书1/2页一种新型LED制备工艺技术领域[0001]本发明涉及一种发光材料,尤其涉及一种新型LED制备工艺。背景技术[0002]1997年,日本日亚公司的Nakamura在蓝光InGaN/GaN芯片上涂覆YAG:Ce3+黄色荧光粉,由荧光粉发出的黄光与工nGaN/GaN芯片所发出的蓝光混合形成白光,从而引发了一场照明方式的革命。白光LED相对于传统白炽灯和荧光灯相比,具有体积小(颗粒小,易组合)、发热量低(无热辐射)、耗电小、寿命长(大于10000小时),反应快,环保(无汞污染,可回收)等优点。YAG:Ce3+荧光粉在白光LED中起着非常关键的作用。[0003]YAG:Ce3+荧光粉的基质为钇铝石榴石,具有良好的机械性能,物理化学性能,耐高温辐照和电子轰击能力,是一种优良的发光材料。目前YAG:Ce3+荧光粉由于流程较长,过程不易控制,收率较低、能耗大、产品不稳定、生产成本较高。发明内容[0004]本发明针对传统LED生产工艺的工艺流程较长,过程不易控制,收率较低、能耗大、产品不稳定、生产成本较高的问题,做出了工艺和配方上的改进;提供一种能耗小,收率高,生产成本低的一种新型LED制备工艺。[0005]为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:[0006]一种新型LED制备工艺,其中包括以下步骤:原料粉未的配制,窑炉高温还3+原,其特点在于:所述的原料粉未的配制是根据Y3Al5O12:0.06Ce化学式计算称取Al2O3(99.99%)、Y2O3(99.999%)、CeO2(99.99%)并加入1%H3BO3和BaF2作为助熔剂(按照化学计量比称取Y2O355.59g、CeO21.73g、Al2O342.69g、H3BO3lg、BaF21g),加入玛瑙球在混料器中混料72小时。所述的窑炉高温还原是将混匀后试样放在500cc坩埚中,加盖在N2+3H2的气氛中,以1500℃保温6小时。本新型LED制备工艺还包括破碎过筛,球磨或气流粉碎,湿过筛,清洗离心甩干,即用破碎机将荧光粉破碎后,将试样水洗,以便除去试样中的杂质。本新型LED制备工艺还包括烘干,超声波选粉,即将荧光粉放在烘箱中以120℃保温17小时;烘干后,将LED荧光粉过500目超声波震动筛。[0007]本发明的优点是:本新型LED制备工艺采用三基色蓝粉窑炉直接高温还原、粉碎、选粉、清洗、烘干成品一套流程