一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103014872A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN103014872A(43)申请公布日2013.04.03(21)申请号201210532101.4(22)申请日2012.12.12(71)申请人江西旭阳雷迪高科技股份有限公司地址332005江西省九江市经济开发区出口加工区外锦绣大道1号(72)发明人曾世铭刘立忠姚晨赖毅房徐由兵汪传建(74)专利代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司36115代理人施秀瑾(51)Int.Cl.C30B31/00(2006.01)C22F1/00(2006.01)权利要求书权利要求书11页页说明书说明书22页页(54)发明名称一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法(57)摘要一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法，步骤包括选定一台单晶炉作为掺杂剂淬火炉；所述淬火炉内装入石英坩埚，抽真空,通氩气，加热到700℃，恒温1小时；将水槽洗净，注入2/3体积的自来水，推至淬火炉；将已测试好电阻率的掺杂剂晶块用水洗净，晾干后，置于晶块淬火筐内；提升淬火筐至副炉室中，副炉室抽空和换气，最后将淬火筐降入石英埚内；烘烤30分钟后，快速将淬火筐提升并取出，立即将淬火筐沉入水槽中，使掺杂剂块体淬火，同时将另一淬火筐装入掺杂剂后吊入淬火炉内，进行烘烤；水槽内的块体掺杂剂冷却后，取出掺杂剂块体，手工敲碎即可。解决了人工敲碎加工掺杂剂效率低、产量少、容易混入杂质和出现过碎粉体的问题。具有简单、易行、效率高的特点。CN1034872ACN103014872A权利要求书1/1页1.一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法，其特征在于，步骤包括，1）选定一台单晶炉作为掺杂剂淬火炉；2）所述淬火炉内装入石英坩埚，抽真空,通氩气，加热到700℃，恒温1小时；3）将水槽洗净，注入2/3体积的自来水，推至淬火炉；4）将已测试好电阻率的掺杂剂晶块用水洗净，晾干后，置于晶块淬火筐内；5）提升淬火筐至副炉室中，副炉室抽空和换气，最后将淬火筐降入石英埚内；6）烘烤30分钟后，快速将淬火筐提升并取出，立即将淬火筐沉入水槽中，使掺杂剂块体淬火，同时将另一淬火筐装入掺杂剂后吊入淬火炉内，进行烘烤；7）水槽内的块体掺杂剂冷却后，取出掺杂剂块体，手工敲碎即可。2CN103014872A说明书1/2页一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法技术领域[0001]本发明涉及一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法。背景技术[0002]目前太阳能电池所用硅片有P型和N型两种。当加入硼或镓三价掺杂元素时制备出来的硅片是P型硅片；而加入磷或砷、锑五价掺杂元素则可得到N型硅片。这些掺杂元素通常被称作为掺杂剂，又被称作为掺杂“母合金”，即已经过冶炼、冶金质量合格、成分确定的合金原料。其是硅与杂质元素的合金，常用的母合金有硅磷和硅硼两种，杂质浓度是10的-2和10的-3次方。[0003]采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确；其目的主要是用来改变硅熔体中施主杂质（如磷）或受主杂质（如硼）的杂质浓度，使其生长出的硅晶体电阻率达到规定的要求。[0004]硅片制造企业在外购入“母合金”掺杂剂后，要将其粉碎到2cm大小的颗粒，但人工敲碎效率低，2至3人粉碎一天产量只有20-30kg，同时使用的敲碎工具极易带入杂质，影响“母合金”掺杂剂的纯度。发明内容[0005]本发明其目的就在于提供一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法，解决了人工敲碎加工掺杂剂效率低、产量少、容易混入杂质和出现过碎粉体的问题。具有简单、易行、效率高的特点。[0006]实现上述目的而采取的技术方案，步骤包括，1）选定一台单晶炉作为掺杂剂淬火炉；2）所述淬火炉内装入石英坩埚，抽真空,通氩气，加热到700℃，恒温1小时；3）将水槽洗净，注入2/3体积的自来水，推至淬火炉；4）将已测试好电阻率的掺杂剂晶块用水洗净，晾干后，置于晶块淬火筐内；5）提升淬火筐至副炉室中，副炉室抽空和换气，最后将淬火筐降入石英埚内；6）烘烤30分钟后，快速将淬火筐提升并取出，立即将淬火筐沉入水槽中，使掺杂剂块体淬火，同时将另一淬火筐装入掺杂剂后吊入淬火炉内，进行烘烤；7）水槽内的块体掺杂剂冷却后，取出掺杂剂块体，手工敲碎即可。[0007]有益效果与现有技术相比本发明具有以下优点。[0008]由于采用了单晶炉作为掺杂剂淬火炉的处理方法，24小时内2人反复进行淬火处理，预计每天可处理15炉次，共重约300公斤，功效是人工敲碎效率的5-10倍，且无杂质混入，保证“母合金”掺杂剂的纯度。解决了人工敲碎加工掺杂剂效率低、产量少、容易混入杂质和出现过碎粉体的问题。具有简单、易行、效率高的特点。3CN103014872A说明书2/2页具体实施方式[0009]步骤包括，1）选定一台单晶炉作为掺杂剂淬火炉；2）所述淬火炉内装入石英坩埚，抽真